본 발명은 유기 반도체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 퀴녹살린을 포함하는 유기 반도체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자에 관한 것이다. 또한 황(S)을 포함하고 있는 티오펜 유도체를 합성하여 퀴녹살린계 화합물과 공중합하여 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 본 발명의 유기 반도체 화합물과 광활성층인 풀러렌 유도체와의 획기적인 조합으로 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 높은 열적 안정성과 높은 용해도로 인해 이를 포함하는 유기전자소자는 우수한 전기특성을 가져 유기전자 소자 특히, 유기 태양전지 또는 유기박막트랜지스터의 n-type 재료로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.
本发明涉及有机半导体化合物、其制备方法以及包含该有机半导体化合物的有机电子器件,更详细地说,涉及包含奎诺萨林的有机半导体化合物、其制备方法以及包含该化合物的有机电子器件。此外,通过合成含
硫基团的
噻吩衍
生物与奎诺萨林类化合物进行共聚,显示出较低的带隙,因此,包含该化合物的有机电子器件通过与本发明的有机半导体化合物和
富勒烯衍
生物作为光活性层的显著组合具有高效率。此外,由于本发明的有机半导体化合物具有高热稳定性和高溶解度,包含该化合物的有机电子器件具有优异的电学特性,因此,该有机电子器件特别适用于有机太阳能电池或有机薄膜晶体管的n-型材料。