9,10-dicyanoanthracene-2,3:6,7-dianhydride | 1039123-15-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 9,10-dicyanoanthracene-2,3:6,7-dianhydride
• 英文别名: 6,8,16,18-Tetraoxo-7,17-dioxapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3,5(9),10,12,14,19-heptaene-2,12-dicarbonitrile；6,8,16,18-tetraoxo-7,17-dioxapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3,5(9),10,12,14,19-heptaene-2,12-dicarbonitrile
• CAS: 1039123-15-3
• 化学式: C₂₀H₄N₂O₆
• 分子量: 368.262
• InChiKey: PKHRTOCLSWQKSB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.6
• 重原子数：
  28
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  134
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  辛胺 、 9,10-dicyanoanthracene-2,3:6,7-dianhydride 在 丙酸 作用下， 以 xylene 为溶剂， 反应 0.17h， 以73%的产率得到N,N'-di-n-octyl-9,10-dicyano-2,3:6,7-anthracenedicarboximide
  参考文献：
  名称：

  Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same

  摘要：

  本教学提供了符合以下公式I和II的化合物：其中Q、Ra、R1、W和n的定义如本文所述。本教学还提供了制备符合公式I和II的化合物的方法，包括从符合公式I的化合物制备符合公式II的方法。本文披露的化合物可用于制备半导体材料、相关复合材料和电子器件。

  公开号：

  US20080177073A1
• 作为产物：
  描述：

  、 氰化亚铜 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 5.0h， 以44.1%的产率得到9,10-dicyanoanthracene-2,3:6,7-dianhydride
  参考文献：
  名称：

  Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same

  摘要：

  本教学提供了符合以下公式I和II的化合物：其中Q、Ra、R1、W和n的定义如本文所述。本教学还提供了制备符合公式I和II的化合物的方法，包括从符合公式I的化合物制备符合公式II的方法。本文披露的化合物可用于制备半导体材料、相关复合材料和电子器件。

  公开号：

  US20080177073A1

文献信息

• US7893265B2
  申请人：——

  公开号：US7893265B2

  公开（公告）日：2011-02-22
• [EN] METHODS FOR PREPARING ARENE-BIS(DICARBOXIMIDE)-BASED SEMICONDUCTING MATERIALS AND RELATED INTERMEDIATES FOR PREPARING SAME<br/>[FR] PROCÉDÉS POUR PRÉPARER DES MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS À BASE D'ARENE-BIS(DICARBOXIMIDE) ET INTERMÉDIAIRES POUR PRÉPARER LESDITS MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
  申请人：POLYERA CORP

  公开号：WO2008085942A2

  公开（公告）日：2008-07-17

  [EN] The present teachings provide compounds of formulae I and H: where Q, Ra, R1, W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.
  [FR] L'invention concerne des composés représentés par les formules I et H dans lesquelles Q, Ra, R1, W et n sont tels que définis dans les spécifications. L'invention concerne également des procédés pour préparer des composés représentés par les formules I et II, notamment des procédés pour préparer des composés représentés par la formule II à partir de composés représentés par la formule I. Les composés précités peuvent être utilisés pour préparer des matériaux semi-conducteurs et des composites et des dispositifs électroniques correspondants.