4-n-hexyloxy-2-methylthiophenol | 552840-63-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯硫酚类
• 英文名称: 4-n-hexyloxy-2-methylthiophenol
• 英文别名: 4-Hexoxy-2-methylbenzenethiol
• CAS: 552840-63-8
• 化学式: C₁₃H₂₀OS
• 分子量: 224.367
• InChiKey: RPPDFMNIFDJQHN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.54
• 拓扑面积：
  10.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-氯-3-甲基苯酚 、 溴己烷 在 sodium hydroxide 作用下， 以 乙醇 、 水 为溶剂， 生成 4-n-hexyloxy-2-methylphenyl chloride 、 4-n-hexyloxy-2-methylthiophenol
  参考文献：
  名称：

  Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  一种化学放大型光刻胶组合物包含一种化学放大型光酸发生剂，其化学式为（1），其中R为H或C1-4烷基或烷氧基，G为SO2或CO，R3为C1-10烷基或C6-14芳基，p为1或2，q为0或1，p+q=2，n为0或1，m为3至11，k为0至4。该组合物适用于微细加工，尤其是通过深紫外光刻技术，因为具有许多优点，包括提高分辨率和在显影后改善图案轮廓。

  公开号：

  US20030180653A1

文献信息

• US6689530B2
  申请人：——

  公开号：US6689530B2

  公开（公告）日：2004-02-10
• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20030180653A1

  公开（公告）日：2003-09-25

  A chemical amplification type resist composition contains as a photoacid generator a sulfonyldiazomethane compound of formula (1) wherein R is H or C 1-4 alkyl or alkoxy, G is SO 2 or CO, R 3 is C 1-10 alkyl or C 6-14 aryl, p is 1 or 2, q is 0 or 1, p+q=2, n is 0 or 1, m is 3 to 11, and k is 0 to 4. The composition is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution and improved pattern profile after development. 1

  一种化学放大型光刻胶组合物包含一种化学放大型光酸发生剂，其化学式为（1），其中R为H或C1-4烷基或烷氧基，G为SO2或CO，R3为C1-10烷基或C6-14芳基，p为1或2，q为0或1，p+q=2，n为0或1，m为3至11，k为0至4。该组合物适用于微细加工，尤其是通过深紫外光刻技术，因为具有许多优点，包括提高分辨率和在显影后改善图案轮廓。