hydroxymethyl acrylate | 15731-80-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: hydroxymethyl acrylate
• 英文别名: hydroxyethyl acrylate；hydroethyl acrylate；2-hydroxymethyl acrylate；hydroxymethylacrylate；hydroxymethyl prop-2-enoate
• CAS: 15731-80-3
• 化学式: C₄H₆O₃
• 分子量: 102.09
• InChiKey: GJIDOLBZYSCZRX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.4
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hydroxymethyl acrylate 以 sodium hydroxide 为溶剂， 以0.47 g (60%)的产率得到2-(羟甲基)丙-2-烯酸
  参考文献：
  名称：

  Dental composition

  摘要：

  牙科水泥组合物包括具有聚合性聚酸性聚合物的重复单元的聚合物骨架，该重复单元由以下公式（I），（II）和/或（III）表示： 其中X表示O，S或NR'，其中R'表示氢原子或直链或支链C1-C6烷基，C3-C6环烷基或C4-C8环烷基烷基， Ya表示以下公式（IV）的一组： 其中每个独立的L1，L2，L3和L4表示单键，直链或支链C1-C6烷基，直链或支链C1-C6烯基或包括1至8个从氧和硫原子中选择的原子的直链或支链C1-C20烷基，X'表示O，S或NR"，其中R"表示氢原子或直链或支链C1-C6烷基，C3-C6环烷基或C4-C8环烷基烷基，m为0至3，n为0至3，前提是当n为0时，X'为O。

  公开号：

  EP2335668A1
• 作为产物：
  描述：

  三乙烯二胺 在 paraformaldehyde 作用下， 生成 hydroxymethyl acrylate
  参考文献：
  名称：

  Dental composition

  摘要：

  牙科水泥组合物包括具有聚合性聚酸性聚合物的重复单元的聚合物骨架，该重复单元由以下公式（I），（II）和/或（III）表示： 其中X表示O，S或NR'，其中R'表示氢原子或直链或支链C1-C6烷基，C3-C6环烷基或C4-C8环烷基烷基， Ya表示以下公式（IV）的一组： 其中每个独立的L1，L2，L3和L4表示单键，直链或支链C1-C6烷基，直链或支链C1-C6烯基或包括1至8个从氧和硫原子中选择的原子的直链或支链C1-C20烷基，X'表示O，S或NR"，其中R"表示氢原子或直链或支链C1-C6烷基，C3-C6环烷基或C4-C8环烷基烷基，m为0至3，n为0至3，前提是当n为0时，X'为O。

  公开号：

  EP2335668A1

文献信息

• Herbicidal and plant growth regulant diphenylpyridazinones
  申请人：SDS Biotech Corporation

  公开号：US04545810A1

  公开（公告）日：1985-10-08

  Novel compounds of the general formula ##STR1## as well as novel compositions thereof and methods of using same are described. These compounds have been found to be valuable for controlling, modifying and inhibiting the growth of plants.

  一种一般式为##STR1##的新化合物，以及其新的组合物和使用方法被描述。已发现这些化合物对于控制、修改和抑制植物生长是有价值的。
• 一种多官能度单体及其制备方法和应用、一种光刻胶
  申请人：阜阳欣奕华材料科技有限公司

  公开号：CN114213446B

  公开（公告）日：2022-11-25

  本申请涉及光刻胶技术领域，具体公开了一种多官能度单体及其制备方法和应用、一种光刻胶。一种多官能度单体具有式(I)所示的结构：其中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自被取代的或未被取代的烷基；X1、X2各自独立地选自被取代的或未被取代的芳香基、被芳香基取代的烷基。一种多官能度单体的制备方法，由一芳香基三烷氧基硅烷和丙烯酸羟烷基酯在有机溶剂、酸性催化剂存在下发生脱水缩合反应，提纯，得到所述多官能度单体。一种多官能度单体在制备光刻胶中的应用。一种光刻胶，包括上述多官能度单体，且多官能度单体的用量为0.5～10wt%。本申请通过加入如式(I)所示多官能度单体以提高光刻胶的耐热性。
• Water-soluble negative photoresist polymer and composition containing the same
  申请人：Lee Geun Su

  公开号：US20050282080A1

  公开（公告）日：2005-12-22

  Photoresist patterns are formed using a photoresist composition, which includes water, a negative photoresist polymer having a salt-type repeating unit, and a photoacid generator, so that a developing process can be performed not by using conventional TMAH solution but by using water. Additionally, because the main solvent of the composition is water, the disclosed photoresist composition is environment-friendly, and has a low light absorbance at 193 nm and 248 nm, which is useful in a photolithography process using a light source in a far ultraviolet region when high-integrated fine circuits of semiconductor device are manufactured.

  利用包含水、带有盐型重复单元的负性光阻聚合物和光酸发生剂的光阻组合物形成光阻图案，因此可以通过使用水而不是传统的TMAH溶液进行显影过程。此外，由于该组合物的主要溶剂是水，因此所述的光阻组合物具有环保性，并且在制造半导体器件的高集成度细小电路时使用远紫外光源的光刻工艺中具有低的193 nm和248 nm的光吸收率，这是有用的。
• Water-soluble negative photoresist polymer, composition containing the same, and method of forming a photoresist pattern
  申请人：Lee Su Geun

  公开号：US20050282079A1

  公开（公告）日：2005-12-22

  Photoresist patterns are formed using a photoresist composition, which includes water, a photoacid generator, and a negative photoresist polymer. The polymer includes a basic-type repeating unit represented by Formula (I) (shown below), so that a developing process can be performed not by using conventional TMAH solution but by using water. Additionally, since the main solvent of the composition is water, the disclosed photoresist composition is eco-friendly, and has a low light absorbance at 193 nm and 248 nm, which is useful in a photolithography process using light source in a far ultraviolet region when high-integrated fine circuits of semiconductor device are manufactured. wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , b, c, d and m are defined in the specification.

  使用光阻组合物形成光阻图案，该组合物包括水、光酸发生剂和负型光阻聚合物。聚合物包括由式（I）表示的碱性重复单元，因此可以通过使用水而不是传统的TMAH溶液进行显影过程。此外，由于组合物的主溶剂是水，因此所披露的光阻组合物具有环保性，并且在制造半导体器件的高集成细微电路时使用远紫外光源的光刻工艺中，具有193nm和248nm的低光吸收率，这是有用的。其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、b、c、d和m在规范中有定义。