2,3-bis(p-toluenesulfonoxy)butane | 49662-27-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2,3-bis(p-toluenesulfonoxy)butane
• 英文别名: 2,3-butanediol ditosylate；2,3-bis(p-toluenesulfonyloxy)butane；±-2,3-butanediolditosylate；1-Methyl-2-{[(4-methylphenyl)sulfonyl]oxy}propyl 4-methylbenzenesulfonate；3-(4-methylphenyl)sulfonyloxybutan-2-yl 4-methylbenzenesulfonate
• CAS: 49662-27-3
• 化学式: C₁₈H₂₂O₆S₂
• mdl: MFCD00666156
• 分子量: 398.501
• InChiKey: MFRBMNNZDFDJOF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  95.0-95.5 °C
• 沸点：
  550.2±38.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.273±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.333
• 拓扑面积：
  104
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3-bis(p-toluenesulfonoxy)butane 在 potassium fluoride 作用下， 以 二乙二醇 为溶剂， 120.0 ℃ 、2.0 kPa 条件下， 生成 2-丁炔 、 meso-2,3-Difluorbutan
  参考文献：
  名称：

  2,3-二氟丁烷的构象

  摘要：

  DOI：

  10.1021/j100388a004
• 作为产物：
  描述：

  对甲苯磺酰氯 、 2,3-丁二醇 在 吡啶 作用下， 反应 3.0h， 以61%的产率得到2,3-bis(p-toluenesulfonoxy)butane
  参考文献：
  名称：

  2,3-二氟丁烷的构象

  摘要：

  DOI：

  10.1021/j100388a004

文献信息

• A New Stereoselective Synthesis of Phosphiranes
  作者：Xinhua Li、Kerry D. Robinson、Peter P. Gaspar

  DOI：10.1021/jo9608533

  日期：1996.1.1

  and W(CO)(4)(PPh(3))(THF). The absolute stereochemistry of the phosphiranes 3, 4, and 5 was determined by X-ray crystal structure analysis of compounds 22, 23, and 24. Stereochemical effects on NMR coupling constants and mass spectra of the phosphiranes are discussed.

  发现由伯膦和二醇二甲苯磺酸酯合成膦酸酯是立体选择性的，并且由光学纯的二醇制备手性膦酸酯。1-mesityl-2,3-dimethylphosphirane，（2S，3S）-（+）-3，（2R，3R）-（-）-4，抗-顺-（meso）-5和syn-cis-（meso）-6均由异丁基膦和相应的二醇二甲苯磺酸酯合成。化合物6不稳定，但化合物3、4和5均以纯净形式分离。它们的结构分配基于NMR耦合常数J（PH）和J（PC）。将膦转化为五羰基钨络合物。通过膦与W（CO）（4）（PPh（3））（THF）的反应，高收率合成了化合物3、4和5的钨四羰基-三苯基膦配合物（22、23、24）。
• The EPR Spectrum of Triplet Mesitylphosphinidene: Reassignment and New Assignment
  作者：Alexander V. Akimov、Yulia S. Ganushevich、Denis V. Korchagin、Vasili A. Miluykov、Eugenii Y. Misochko

  DOI：10.1002/anie.201703629

  日期：2017.6.26

  conditions leads to the formation of the triplet mesitylphosphinidene (MesP). The recorded X‐band EPR spectrum of triplet MesP and the derived zero‐field splitting parameter D=4.116 cm−1 differ significantly from those reported previously for this intermediate. New magnetic parameters of mesitylphosphinidene are discussed along with the results of DFT calculations.

  在高度厌氧的条件下低温对异丁基膦进行紫外光解会导致三重异丁基膦（MesP）的形成。三重态MesP的X波段EPR光谱记录和导出的零场分裂参数D = 4.116 cm -1与之前针对该中间体报道的那些显着不同。讨论了间苯二甲叉基亚膦的新的磁性参数以及DFT计算的结果。
• SULFONIC-ESTER-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMATION OF ANTIREFLECTION FILM FOR LITHOGRAPHY
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP1813987A1

  公开（公告）日：2007-08-01

  There is provided an anti-reflective coating forming composition for lithography comprising a polymer compound, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst, a sulfonate compound and a solvent. The anti-reflective coating obtained from the composition has a high preventive effect for reflected light, causes no intermixing with photoresists, has a higher dry etching rate compared with photoresists, can form a photoresist pattern having no footing at the lower part, and can use in lithography process by use of a light such as ArF excimer laser beam and F2 excimer laser beam, etc.

  本发明提供了一种用于光刻的抗反射涂层形成组合物，该组合物由聚合物化合物、交联化合物、交联催化剂、磺酸盐化合物和溶剂组成。由该组合物制得的抗反射涂层对反射光有很好的防止效果，不会与光刻胶混合，与光刻胶相比具有更高的干蚀刻率，可以形成下部无基底的光刻胶图案，并可在光刻工艺中使用 ArF 准分子激光束和 F2 准分子激光束等光源。
• Stereochemical consequences of halogen atom substitution. 1. Rotational conformer effects in gaseous diastereomeric 2,3-dihalobutanes
  作者：Ram B. Sharma、Richard A. Ferrieri、Richard J. Meyer、Edward P. Rack、Alfred P. Wolf

  DOI：10.1021/j100369a023

  日期：1990.3
• Sulfonate-Containing Anti-Reflective Coating Forming Composition for Lithography
  申请人：Kishioka Takahiro

  公开号：US20080003524A1

  公开（公告）日：2008-01-03

  There is provided an anti-reflective coating forming composition for lithography comprising a polymer compound, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst, a sulfonate compound and a solvent. The anti-reflective coating obtained from the composition has a high preventive effect for reflected light causes no intermixing with photoresists, has a higher dry etching rate compared with photoresists, can form a photoresist pattern having no footing at the lower part, and can use in lithography process by use of a light such as ArF excimer laser beam and F2 excimer laser beam, etc.