作者:Lee Belding、Samuel E. Root、Yuan Li、Junwoo Park、Mostafa Baghbanzadeh、Edwin Rojas、Priscilla F. Pieters、Hyo Jae Yoon、George M. Whitesides
DOI:10.1021/jacs.0c12571
日期:2021.3.10
and influences the rates of tunneling. When R1 = R2, the rates of CT decrease (up to 6.3×), relative to rates of CT observed through SAMs having the same total chain lengths, or thicknesses, when R1 = H. When R1 ≠ H ≠ R2, there is a weaker correlation (relative to that when R1 = H or R1 = R2) between current density and chain length or monolayer thickness, and in some cases the rates of CT through SAMs
本文证明,构成自组装单层 (SAM) 的分子的分子构象(除了组成和结构外)影响通过它们的电荷隧穿 (CT) 速率,在形式为 Au TS / S( CH 2 ) 2 CONR 1 R 2 //Ga 2 O 3 /EGaIn,其中R 1和R 2是不同长度的烷基链。链的长度 R 1和 R 2选择影响单层中分子的构象和构象均匀性。分子的构象影响单层的厚度(即隧道势垒宽度)及其在±1.0 V 时的整流比。当R 1 = H 时,分子有序且主要以反式扩展构象存在。然而,当R 1是烷基(例如,R 1 ≠H)时,它们的构象不再是全反式延伸的,并且分子采用更多的斜切二面角。构象类型的这种变化降低了构象顺序并影响隧穿速率。当 R 1 = R 2,当 R 1 = H 时,相对于通过具有相同总链长或厚度的 SAM 观察到的 CT 速率,CT 速率降低(高达 6.3 倍)。当 R 1 ≠ H ≠ R 2 时,存在较弱