构造
DA型共轭聚合物的一般策略是给电子(D)单体和受电子(A)单体交替共聚。在本文中,我们报告了一种开发
DA型共轭聚合物的新策略,即首先将D和A单元融合成多环结构以生成结构单元,然后将结构单元与另一个单元聚合。我们开发了一种基于B←N单元,B←N桥联的二
吡啶基苯(B
NDPB)的梯形结构新砌块。在B
NDPB的骨架中,一个二胺取代的亚苯基环(D单元)和两个B←N连接的
吡啶基环(A单元)稠合在一起以产生多环结构。由于存在分子内
DA特征,因此该结构单元自身表现出1.74eV的窄带隙。基于B
NDPB的共轭聚合物显示出独特的电子结构,即局部HOMO和离域LUMO,这在常规
DA共轭聚合物中很少观察到。聚合物的带隙小于结构单元B
NDPB的带隙,并显示近红外(NIR)光吸收(λabs = ca。700 nm)。因此,这项研究不仅提供了设计
DA共轭聚合物的新策略,而且提供了一种新型的具有窄带隙的结构单元。