The effect of fluorination on the luminescent behaviour of 8-hydroxyquinoline boron compounds
作者:Sondra L. Hellstrom、Juri Ugolotti、George J. P. Britovsek、Tim S. Jones、Andrew J. P. White
DOI:10.1039/b712837a
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different boron compounds interacting with the hole transporting layer. In layered devices, the boron compounds 1–3 are inferior in their EL performance compared to aluminium tris(8-quinolinoate) (AlQ3). However, when the boron compounds 1, 2 or 3 are doped into a 4,4′-bis(carbazol-9-yl)diphenyl (CBP) host, emission solely attributable to 1–3 is observed. In such devices, the boron compounds 1 and 2
一系列不同程度的喹啉硼化合物 氟化作用制备了Ph 2 BQ 1,(4-FC 6 H 4)2 BQ 2和(C 6 F 5)2 BQ 3(其中Q为8-喹啉酸酯)},并在电子显微镜下研究了它们的电子和发光行为。各种有机发光器件结构。循环伏安法 研究表明,随着电离度的增加,电离电势降低。 氟化作用。电致发光(EL)测量显示出越来越多的红移激基复合物发射,其源于与空穴传输层相互作用的不同硼化合物。在分层器件中,硼化合物1-3的EL性能低于铝三(8-喹啉酸酯)(AlQ 3)。但是,当将硼化合物1、2或3掺杂到4,4'-双(咔唑-9-基)二苯基(CBP)主体中时,观察到仅属于1-3的发射。在此类设备中,硼化合物1和2在低至中等电流密度下的性能优于AlQ 3作为发射极。