1,1-bis(4-(methylthio)phenyl)silacyclobutane | 1494347-82-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 1,1-bis(4-(methylthio)phenyl)silacyclobutane
• 英文别名: 1,1-Bis(4-methylsulfanylphenyl)siletane；1,1-bis(4-methylsulfanylphenyl)siletane
• CAS: 1494347-82-8
• 化学式: C₁₇H₂₀S₂Si
• 分子量: 316.563
• InChiKey: RBRYEPPVYWIDDA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  50.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3-丁二烯酸乙酯 、 1,1-bis(4-(methylthio)phenyl)silacyclobutane 在 三[3,4-双(三氟甲基)苯基]膦 、 bis(dibenzylideneacetone)-palladium⁽⁰⁾ 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 12.0h， 以83%的产率得到C₂₃H₂₈O₄Si
  参考文献：
  名称：

  硅环丁烷与烯丙酸酯的扩环选择性构建 2-或 3-(E)-烯酸酯取代的硅环己烯

  摘要：

  硅环是含硅功能分子中最重要的核心框架之一。然而，由于缺乏通用的合成方法，硅环的结构多样性在很大程度上受到了限制。在这里，我们报告了通过硅环丁烷与烯丙酸酯的扩环来有效合成外环烯酸酯取代的硅环己烯。在 Si-C 键插入过程中，反应以两种区域选择性进行。在 Pd/PR 3催化剂存在下，未取代的烯丙酸酯经历 β, γ-插入形成 Si-Cβ 键，得到 2-( E)-烯酸酯取代的硅环己烯。在该途径中，手性亚磷酰胺配体用于对映选择性构建立体硅中心。在第二种途径中，在 PtCl 2催化剂存在下，α-取代的烯丙酸酯经历 γ，β-插入形成 Si-Cγ 键，产生 3-( E )-烯酸酯取代的硅环己烯。已经进行了控制实验和密度泛函理论计算，以了解 Pd 和 Pt 催化的扩环反应的区域和立体化学结果。

  DOI：

  10.1021/acscatal.1c05831
• 作为产物：
  描述：

  4-溴茴香硫醚 、 1，1-二氯硅基环丁烷 在 碘 、 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以87%的产率得到1,1-bis(4-(methylthio)phenyl)silacyclobutane
  参考文献：
  名称：

  Silicon Ring Strain Creates High-Conductance Pathways in Single-Molecule Circuits

  摘要：

  Here we demonstrate for the first time that strained silanes couple directly to gold electrodes in break-junction conductance measurements. We find that strained silicon molecular wires terminated by alkyl sulfide aurophiles behave effectively as single-molecule parallel circuits with competing sulfur-to-sulfur (low G) and sulfur-to-silacycle (high G) pathways. We can switch off the high conducting sulfur-to-silacycle pathway by altering the environment of the electrode surface to disable the Au-silacycle coupling. Additionally, we can switch between conductive pathways in a single molecular junction by modulating the tip-substrate electrode distance. This study provides a new molecular design to control electronics in silicon-based single molecule wires.

  DOI：

  10.1021/ja410656a