diethyl (4-bromophenyl)phosphonite | 4762-34-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: diethyl (4-bromophenyl)phosphonite
• 英文别名: (4-Bromophenyl)-diethoxyphosphane
• CAS: 4762-34-9
• 化学式: C₁₀H₁₄BrO₂P
• 分子量: 277.098
• InChiKey: WKLLPWWANGYYOQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  278.9±23.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  diethyl (4-bromophenyl)phosphonite 在 五氯化磷 作用下， 以 1,2-二氯乙烷 为溶剂， 反应 18.0h， 生成 (4-bromophenyl)(methyl)phosphinic chloride
  参考文献：
  名称：

  [EN] USE OF PHOSPHINE OXIDE COMPOUNDS IN A SEMICONDUCTING LAYER COMPRISED IN AN ELECTRONIC DEVICE
  [FR] UTILISATION DE COMPOSÉS D'OXYDE DE PHOSPHINE DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE INCORPORÉE DANS UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

  摘要：

  本发明涉及一种化合物的使用，该化合物由通式（I）表示，其中A1和A2分别选自C1至C60碳含基团；A3至A9分别选自氢、C1至C60碳含基团或卤素；R1和R2分别选自通过sp3杂化碳原子连接到磷原子的C1至C60碳含基团；X是单共价键或由1至120个共价结合的原子组成的间隔基团；在电子器件中包含的半导体层中，各自的半导体层、各自的电子器件和各自的化合物。

  公开号：

  WO2018215442A1
• 作为产物：
  描述：

  二乙基亚磷酰氯 、 1,4-二溴苯 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 9.0h， 生成 diethyl (4-bromophenyl)phosphonite
  参考文献：
  名称：

  晶体堆积对Tb（III）-一氧化氮硝基自由基自由基环状双核团簇磁慢弛豫的影响

  摘要：

  式[Ln（hfac）3（NITPhPO（OEt）2）] 2（Ln III = Gd（1），Tb（2A和2B）和Dy（3）和NITPhPO的四个基于镧系元素的亚硝酰基氮氧自由基自由基环状分子簇合成了（OEt）2＝ 4'-[2-（1-氧基-3-4，4，5，5-四甲基咪唑啉）苯基]二乙氧基膦氧化物）。他们的X射线结构已经解决，突出了两种不同的晶体堆积。对于Tb III衍生物的特殊情况，可以同时获得两者。在2A中，分子是完全隔离的，而2B显示N–O自由基之间的短接触。对Gd III衍生物（1）的静磁研究表明，镧系元素和自由基是铁磁耦合的（J = 3.46±0.04 cm –1）。动态磁研究表明，化合物2A和2B均表现出单分子磁体行为。比较它们的磁行为可以看出，晶体堆积对观察SMM行为的温度范围具有至关重要的影响。对于绝缘良好的基于Tb III的衍生物（2A），在较高的温度和较低的频率下观察到的SM

  DOI：

  10.1021/ic301394x

文献信息

• [EN] ORGANIC SEMICONDUCTIVE LAYER COMPRISING PHOSPHINE OXIDE COMPOUNDS<br/>[FR] COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE COMPRENANT DES COMPOSÉS OXYDES DE PHOSPHINE
  申请人：NOVALED GMBH

  公开号：WO2017089399A1

  公开（公告）日：2017-06-01

  The present invention relates to an. organic semiconductive layer which is an electron transport layer and/or an electron injection layer and/or an n-type charge generation layer, the organic semiconductive layer comprising at least one compound of formula (1) wherein R1 and R2 are each independently selected from C1 to C16 alkyl; Ar1 is selected from C6 to C14 arylene or C3 to C12 heteroarylene; Ar2 is independently selected from C14 to C40 arylene or C8 to C40 heteroarylene; R3 is independently selected from H, C1 to C12 alkyl or C10 to C20 aryl; wherein each of Ar1, Ar2 and R3 may each independently be uesubstituted or substituted with at least one C1 to C12 alky group; n is 0 or 1; and m is 1 in case of n = 0; and m is 1 or 2 in case of n = 1, phosphine oxide compounds comprised therein and to organic electroluminescent devices comprising such layers and compounds.

  本发明涉及一种有机半导体层，该层是电子传输层和/或电子注入层和/或n型电荷生成层，该有机半导体层包括至少一种符合式（1）的化合物，其中R1和R2分别独立地选自C1到C16烷基；Ar1选自C6到C14芳基或C3到C12杂芳基；Ar2独立地选自C14到C40芳基或C8到C40杂芳基；R3独立地选自H，C1到C12烷基或C10到C20芳基；其中Ar1、Ar2和R3中的每一个可以独立地未取代或取代为至少一个C1到C12烷基基团；n为0或1；当n=0时，m为1；当n=1时，m为1或2；其中包括磷氧化物化合物以及包含这些层和化合物的有机电致发光器件。
• Phosphinegold(I)salts, process for their preparation and compositions containing them
  申请人：SMITHKLINE BECKMAN CORPORATION

  公开号：EP0003897A1

  公开（公告）日：1979-09-05

  (Pyridine) (trisubstituted phosphine) gold (I) salts. These compounds have antiarthritic activity. They can be prepared by reacting a halo (trisubstituted phosphine) gold (I) compound with a silver salt and pyridine.

  (吡啶）（三取代膦）金（I）盐。这些化合物具有抗关节炎活性。它们可以通过卤代（三取代膦）金（I）化合物与银盐和吡啶反应制备。
• US4096250A
  申请人：——

  公开号：US4096250A

  公开（公告）日：1978-06-20
• [EN] USE OF PHOSPHINE OXIDE COMPOUNDS IN A SEMICONDUCTING LAYER COMPRISED IN AN ELECTRONIC DEVICE<br/>[FR] UTILISATION DE COMPOSÉS D'OXYDE DE PHOSPHINE DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE INCORPORÉE DANS UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
  申请人：NOVALED GMBH

  公开号：WO2018215442A1

  公开（公告）日：2018-11-29

  The present invention relates to the use of a compound represented by the general formula (I) wherein A1 and A2 are independently selected from C1 to C60 carbon-containing groups; A3 to A9 are independently selected from hydrogen, C1 to C60 carbon-containing groups, or halogen; R1 and R2 are independently selected from C1 to C60 carbon-containing groups which are attached to the phosphorous atom by a sp3-hybridized carbon atom; X is a single covalent bond or a spacer group consisting of 1 to 120 covalently bound atoms; in a semiconducting layer comprised in an electronic device, a respective semiconducting layer, a respective electronic device and respective compounds.

  本发明涉及一种化合物的使用，该化合物由通式（I）表示，其中A1和A2分别选自C1至C60碳含基团；A3至A9分别选自氢、C1至C60碳含基团或卤素；R1和R2分别选自通过sp3杂化碳原子连接到磷原子的C1至C60碳含基团；X是单共价键或由1至120个共价结合的原子组成的间隔基团；在电子器件中包含的半导体层中，各自的半导体层、各自的电子器件和各自的化合物。
• Crystal Packing Effects on the Magnetic Slow Relaxation of Tb(III)-Nitronyl Nitroxide Radical Cyclic Dinuclear Clusters
  作者：Fabrice Pointillart、Kevin Bernot、Giordano Poneti、Roberta Sessoli

  DOI：10.1021/ic301394x

  日期：2012.11.19

  well-isolated, while 2B shows short contacts between N–O radical groups. Static magnetic studies on the GdIII derivative (1) demonstrate that lanthanides and radicals are ferromagnetically coupled (J = 3.46 ± 0.04 cm–1). Dynamic magnetic studies show that both compounds 2A and 2B exhibit single molecule magnet behavior. A comparison of their magnetic behaviors highlights that the crystal packing has a crucial

  式[Ln（hfac）3（NITPhPO（OEt）2）] 2（Ln III = Gd（1），Tb（2A和2B）和Dy（3）和NITPhPO的四个基于镧系元素的亚硝酰基氮氧自由基自由基环状分子簇合成了（OEt）2＝ 4'-[2-（1-氧基-3-4，4，5，5-四甲基咪唑啉）苯基]二乙氧基膦氧化物）。他们的X射线结构已经解决，突出了两种不同的晶体堆积。对于Tb III衍生物的特殊情况，可以同时获得两者。在2A中，分子是完全隔离的，而2B显示N–O自由基之间的短接触。对Gd III衍生物（1）的静磁研究表明，镧系元素和自由基是铁磁耦合的（J = 3.46±0.04 cm –1）。动态磁研究表明，化合物2A和2B均表现出单分子磁体行为。比较它们的磁行为可以看出，晶体堆积对观察SMM行为的温度范围具有至关重要的影响。对于绝缘良好的基于Tb III的衍生物（2A），在较高的温度和较低的频率下观察到的SM