bis(t-butylamino)silacyclobutane | 127612-09-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物
• 英文名称: bis(t-butylamino)silacyclobutane
• 英文别名: BTBSCB；1-N,1-N'-ditert-butylsiletane-1,1-diamine
• CAS: 127612-09-3
• 化学式: C₁₁H₂₆N₂Si
• 分子量: 214.426
• InChiKey: INPQQHDZNUWYDS-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  230.1±7.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.87±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.61
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  24.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(t-butylamino)silacyclobutane 在 n-BuLi 作用下， 以 乙醚 、 甲苯 为溶剂， 生成 [(N,N'-tert-butyl-N-silacyclobutyldiamido)2Zr2(Cl)(μ-Cl)3(tetrahydrofuran)]
  参考文献：
  名称：

  硅环烷基二酰胺衍生的新型二聚体第14组金属配合物的合成，结构表征和复分解研究

  摘要：

  一系列由环甲硅烷基二酰胺配体（环）Si（t）稳定的第14组金属配合物的合成和固态结构衍生自硅杂环烷基单元[（环）Si =-（CH 2）n Si-;的BuNH）2（1）。报告了n = 3（a），4（b）和5（c）]。因此，各种二聚螺-硅氮杂氮杂金属环丁烷络合物[[（cyclo）Si（tBuN）2 M] 2（M = Sn（2）; Pb（3）），是通过1的二锂盐与MCl 2反应制备的。通过X射线晶体学测定2a，2d和3a的结构，这表明它们全部由两个单体单元的环加合物组成。的反应2与的AlCl 3在甲苯中在室温下，得到双核异常铝配合物[（环）的Si（吨BuN）2（AlCl 2）2 ]（4）。配合物4被转化为[（环）Si（tBuN）2（AlMe 2）2 ]（5）与MeMgBr。配合物4b和5c通过X射线晶体学表征。由于形成了硅氮杂氮杂铝环丁烷环，所以4和5中的铝原子采用具有两个氯或甲基配体的扭曲的四面体构型。此外，2与ZrCl

  DOI：

  10.1021/om020587l
• 作为产物：
  描述：

  lithium tert-butylamide 、 1，1-二氯硅基环丁烷 以27%的产率得到bis(t-butylamino)silacyclobutane
  参考文献：
  名称：

  13C, 15N and 29Si nuclear magnetic resonance studies of some aminosilanes and aminodisilanes

  摘要：

  DOI：

  10.1016/0584-8539(89)80188-6

文献信息

• Titanium Complexes Incorporating 1,1-Bis(<i>tert</i>-butylamido)-1-silacycloalkane Ligands:  Generation of Alkyl Derivatives and Reactivity toward Molecular Oxygen
  作者：Sung-Joon Kim、Dong-Woong Choi、Young-Joo Lee、Byung-Hoon Chae、Jaejung Ko、Sang Ook Kang

  DOI：10.1021/om034174b

  日期：2004.2.1

  methoxy-bridged diamidotitanium(IV) dimers. Reaction of 2 with 2 equiv of PhCH2MgBr yielded the corresponding dibenzyl (Bn2) derivatives of titanium (cycl)Si(NBut)2TiBn2 (9). When these dibenzyl complexes were used as precursors for the conversion of monomeric to dimeric alkoxy-bridged species, oxo insertion did not occur, presumably because formation of the alkoxy-bridged dimer was hampered by the presence

  已经合成并充分表征了一系列甲氧基桥接的二氨基钛二聚物。用（化学式）2：1或1：1的（cycl）Si（NBu t）2 TiCl 2（2 ;循环= C n H 2 n，n = 3-5）处理格氏试剂MeMgBr得到四配位的二甲基钛（环）Si（NBu t）2 TiMe 2（3）和一甲基钛（CH 2）3 Si（NBu t）2 TiMeCl（5）分别。这些配合物与双氧的后续反应是通过将一个氧分子插入3和5的Ti-C键中而进行的，从而生成各自的甲氧基桥连的钛二聚体[（cycl）Si（NBu t）2 Ti（μ-OMe）Me ] 2（4）和[（环）Si（NBu t）2 Ti（μ-OMe）Cl] 2（6）。相反，二氯化钛（IV）络合物（CH 2）3 Si（NBu t）2 TiCl 2（2a）与O 2的反应由于自氧化作用形成了容易形成的Si-O-Ti键，因此得到了肼基物种[（NBu t NBu t）（CH 2）3
• Sterically Controlled Silacycloalkyl Diamide Complexes of Titanium(IV):  Synthesis, Structure, and Catalytic Behavior of (cycl)Si(NBu<i>^t</i>)₂TiCl₂ [(cycl)Si = Silacyclobutane, Silacyclopentane, Silacyclopentene, and Silacyclohexane]
  作者：Sung-Joon Kim、Il Nam Jung、Bok Ryul Yoo、Sang Hern Kim、Jaejung Ko、Dongjin Byun、Sang Ook Kang

  DOI：10.1021/om000740g

  日期：2001.5.1

  potential catalysts for the polymerization of ethylene. While sterically less demanding silacyclobutyl and -pentyl diamide complexes (3a and 3b) exhibit low ethylene polymerization activity (4.0−5.8 kg PE molcat-1 h-1) in the presence of methylalumoxane, the highly puckered silacyclohexyl diamide complex 3c shows better activity (14 kg PE molcat-1 h-1) for ethylene polymerization when it is activated with

  一系列环甲硅烷基二酰胺配体（环）Si（HNBu t）稳定的钛配合物的化学性质）2（2）从silacycloalkyl单元导出- （CH 2）Ñ SI-，与Ñ = 3，4和5所示，进行了研究。因此，各种螺-硅氮杂二氮杂环丁烷络合物（环）Si（NBu t）2 TiCl 2（3）已通过2的二锂盐与四氯化钛的反应制备。的反应2用的Ti（NME 2）4在回流甲苯的产率（CYCL）的Si（NBU吨）2 Ti（NMe 2）2（4），通过用过量的Me 3 SiCl处理，产物4以中等分离的收率转化为3。（环）Si（NBu t）2通过3与MeMgBr的反应制备TiMe 2（5）。配合物3已经通过X射线晶体学表征。由于形成了硅二氮杂异氰酸酯环丁烷环，所以3中的钛原子显示出带有两个氯化物配体的扭曲的四面体构型。此外，晶体学结果证实，硅杂环烷基与叔丁基之间的空间相互作用会影响C（Bu t）-N-Ti角，因此是钛的空
• CVD前体
  申请人：陶氏康宁公司

  公开号：CN103467506B

  公开（公告）日：2016-03-23

  一种通过热聚合反应性气体混合物二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气体而生产含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜适用于作为半导体器件中的介电层，钝化涂层，防护涂层，隔板，衬里和/或应激体。
• CVD Precursors
  申请人：Zhou Xiaobing

  公开号：US20110195582A1

  公开（公告）日：2011-08-11

  A method of producing silicon containing thin films by the thermal polymerization of a reactive gas mixture bisaminosilacyclobutane and source gas selected from a nitrogen providing gas, an oxygen providing gas and mixtures thereof. The films deposited may be silicon nitride, silicon carbonitride, silicon dioxide or carbon doped silicon dioxide. These films are useful as dielectrics, passivation coatings, barrier coatings, spacers, liners and/or stressors in semiconductor devices.

  一种通过反应气体混合物双氨基硅环丁烷和源气体（选择自提供氮气、提供氧气和两者混合物）的热聚合来制备含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是硅氮化物、硅碳氮化物、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜在半导体器件中可用作绝缘层、钝化涂层、障碍涂层、间隔层和/或应力源。
• CVD precursors
  申请人：Zhou Xiaobing

  公开号：US08772524B2

  公开（公告）日：2014-07-08

  A method of producing silicon containing thin films by the thermal polymerization of a reactive gas mixture bisaminosilacyclobutane and source gas selected from a nitrogen providing gas, an oxygen providing gas and mixtures thereof. The films deposited may be silicon nitride, silicon carbonitride, silicon dioxide or carbon doped silicon dioxide. These films are useful as dielectrics, passivation coatings, barrier coatings, spacers, liners and/or stressors in semiconductor devices.

  一种通过反应气体混合物双氨基硅环丁烷和源气体（包括提供氮气、提供氧气或两者混合）的热聚合来制备含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是硅氮化物、硅碳氮化物、二氧化硅或掺碳二氧化硅。这些薄膜在半导体器件中可用作介电材料、钝化涂层、屏障涂层、间隔层和/或应力源。