N,N'-di-tert-pentyl-1,4-diaza-1,3-butadiene | 67122-55-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N,N'-di-tert-pentyl-1,4-diaza-1,3-butadiene
• 英文别名: N, N'-di-tert-amyl-1,4-diaza-1,3-butadiene；(^tPeNCHCHN^tPe)；N,N'-di(tert-pentyl)-1,4-diaza-1,3-butadiene；N.N'-Bis-(1.1-dimethylpropyl)-1.2-diiminoethan；Bis(1,1-dimethylpropyl)diimin；N,N'-bis(2-methylbutan-2-yl)ethane-1,2-diimine
• CAS: 67122-55-8
• 化学式: C₁₂H₂₄N₂
• 分子量: 196.336
• InChiKey: YQTWRKIDIHNEKS-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  263.6±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.81±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.83
• 拓扑面积：
  24.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N'-di-tert-pentyl-1,4-diaza-1,3-butadiene 在 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 32.0h， 生成 ethene-1,2-diylbis(tert-pentylamido)dimethoxotitanium
  参考文献：
  名称：

  TITANIUM COMPLEX, PROCESSES FOR PRODUCING THE SAME, TITANIUM-CONTAINING THIN FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

  摘要：

  该发明的一个主题是提供具有高蒸气压和高热稳定性的新型钛配合物，可作为通过CVD方法或ALD方法等技术生产含钛薄膜的优质材料，并进一步提供生产这些配合物、由这些配合物产生的含钛薄膜以及生产薄膜的工艺。该发明涉及生产由一般式（1）表示的钛配合物：（其中R1和R4各自独立地表示具有1-16个碳原子的烷基基团；R2和R3各自独立地表示氢原子或具有1-3个碳原子的烷基基团；R5表示具有1-16个碳原子的烷基基团，可能已被一个或多个氟原子取代），并使用该复合物生产含钛薄膜。

  公开号：

  US20120029220A1
• 作为产物：
  描述：

  叔戊基胺 、 草酸醛 以 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 1.0h， 以98%的产率得到N,N'-di-tert-pentyl-1,4-diaza-1,3-butadiene
  参考文献：
  名称：

  HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM

  摘要：

  公开号：

  EP2581377B1
• 作为试剂：
  描述：

  2-溴甲苯 、 苯甲醛 在 乙二醇二甲醚溴化镍 、 N,N'-di-tert-pentyl-1,4-diaza-1,3-butadiene 、 lithium chloride 、 锌 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 24.0h， 以29%的产率得到2-甲基二苯甲醇
  参考文献：
  名称：

  在镍催化剂和二氮杂丁二烯配体存在下芳醛与芳基卤的偶联

  摘要：

  在锌作为还原剂的存在下，具有二氮杂丁二烯配体的镍催化剂促进苯甲醛与芳基卤化物的交叉偶联，从而产生相应的苯甲醇和二苯甲酮。当使用氯化锂添加剂时，二苯甲酮百分比显着增加。

  DOI：

  10.1007/s11172-016-1321-3

文献信息

• TUNGSTEN PRECURSOR AND METHOD OF FORMING TUNGSTEN CONTAINING LAYER USING THE SAME
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20180363131A1

  公开（公告）日：2018-12-20

  Disclosed is a tungsten precursor and a method of forming a tungsten-containing layer. The tungsten precursor has a structure represented by Formula 1 below. In Formula 1, R 1 , R 2 , and R 3 independently include a straight-chained or a branched alkyl group including a substituted or an unsubstituted C1-C5; R 4 and R 5 independently include a straight-chained or a branched alkyl group including a C1-C5, halogen element, dialkylamino group having C2-C10, or trialkylsilyl group including a C3-C12; n is 1 or 2, and m is 0 or 1. Also, n+m=2 (e.g., when n is 1, m is 1). When n is 2, m is 0 and each of R 1 and R 2 are provided in two. Two R 1 s are independently of each other, and two R 2 s are independently of each other.

  揭示了一种钨前体和形成含钨层的方法。该钨前体具有以下式1所代表的结构。在式1中，R1、R2和R3独立包括具有取代或未取代的C1-C5的直链或支链烷基基团；R4和R5独立包括具有C1-C5的直链或支链烷基基团、卤素元素、具有C2-C10的二烷基氨基基团或包括C3-C12的三烷基硅基团；n为1或2，m为0或1。此外，n+m=2（例如，当n为1时，m为1）。当n为2时，m为0，且每个R1和R2各有两个。两个R1相互独立，两个R2也相互独立。
• バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
  申请人：株式会社ＡＤＥＫＡ

  公开号：JP2017226614A

  公开（公告）日：2017-12-28

  【課題】自然発火性が無く、３００℃以上の熱分解温度を有するバナジウム化合物を得ること。【解決手段】下記一般式（１）で表されるバナジウム化合物。 【化１】 一般式（１）において、Ｒ１は炭素原子数１〜７の直鎖又は分岐状のアルキル基を表し、ｎは２〜４の数を表す。一般式（１）において、ｎが２であり、Ｒ１が第三ブチル基又は第三ペンチル基であるものは、ＡＬＤウインドウが広く、熱分解温度が高く、ＡＬＤ材料として使用した場合に炭素残渣が少なく品質の良好なバナジウム含有薄膜を形成することができることから好ましい。【選択図】なし

  【问题】获得具有无自然发火性和300℃以上热分解温度的钒化合物。 【解决方法】通过下列通式（1）表示的钒化合物。【化学式1】在通式（1）中，R1代表碳原子数为1-7的直链或支链烷基，n表示2-4的数字。在通式（1）中，当n为2且R1为第三丁基基团或第三戊基基团时，具有广泛的ALD窗口，高热分解温度，使用作为ALD材料时，形成的钒含量薄膜具有较少的碳残留物，品质良好，因此是理想的选择。【选择图】无。
• A Silyl Radical formed by Muonium Addition to a Silylene
  作者：Amitabha Mitra、Jean-Claude Brodovitch、Clemens Krempner、Paul W. Percival、Pooja Vyas、Robert West

  DOI：10.1002/anie.201000166

  日期：2010.4.6

  Muonraker: Irradiation of the stable silylene N,N′‐bis(2,6‐diisopropylphenyl)‐1,3‐diaza‐2‐silacyclopent‐4‐en‐2‐ylidene with muons produced a radical that was identified as the monomeric muonium adduct from its muon spin rotation (μSR) spectrum. The muon hyperfine constant for this radical is 931 MHz, the largest ever recorded for a free radical.

  Muonraker：用mu子辐照稳定的甲硅烷基N，N'-双（2,6-二异丙基苯基）-1,3-二氮杂-2-硅环戊-4-烯-2-亚烷基产生的自由基被鉴定为单体mu从其μ自旋旋转（μSR）光谱中获得加合物。该自由基的μon超细常数为931 MHz，是有记录以来最大的常数。
• HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM
  申请人：Tosoh Corporation

  公开号：EP2581377B1

  公开（公告）日：2015-07-29
• TITANIUM COMPLEX, PROCESSES FOR PRODUCING THE SAME, TITANIUM-CONTAINING THIN FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
  申请人：Tada Ken-ichi

  公开号：US20120029220A1

  公开（公告）日：2012-02-02

  A subject for the invention is to provide novel titanium complexes which have a high vapor pressure and high thermal stability and serve as an excellent material for producing a titanium-containing thin film by a technique such as the CVD method or ALD method and to further provide processes for producing these complexes, titanium-containing thin films produced from the complexes, and a process for producing the thin films. The invention relates to producing a titanium complex represented by general formula (1): (wherein R 1 and R 4 each independently represent an alkyl group having 1-16 carbon atoms; R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1-3 carbon atoms; and R 5 represents an alkyl group which has 1-16 carbon atoms and may have been substituted with one or more fluorine atoms) and to producing a titanium-containing thin film using the complex.

  该发明的一个主题是提供具有高蒸气压和高热稳定性的新型钛配合物，可作为通过CVD方法或ALD方法等技术生产含钛薄膜的优质材料，并进一步提供生产这些配合物、由这些配合物产生的含钛薄膜以及生产薄膜的工艺。该发明涉及生产由一般式（1）表示的钛配合物：（其中R1和R4各自独立地表示具有1-16个碳原子的烷基基团；R2和R3各自独立地表示氢原子或具有1-3个碳原子的烷基基团；R5表示具有1-16个碳原子的烷基基团，可能已被一个或多个氟原子取代），并使用该复合物生产含钛薄膜。