5-溴-2,4-二甲基苯甲腈 | 807628-76-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 5-溴-2,4-二甲基苯甲腈
• 英文名称: 5-bromo-2,4-dimethylbenzonitrile
• 英文别名: 5-bromo-2,4-dimethyl-benzonitrile；5-Brom-2,4-dimethyl-benzonitril
• CAS: 807628-76-8
• 化学式: C₉H₈BrN
• mdl: MFCD18826356
• 分子量: 210.073
• InChiKey: MUESXHWNYAMOEX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.222
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-溴-2,4-二甲基苯甲腈 在 二异丁基氢化铝 作用下， 以 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 76.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  固态邻甲苯甲醛的高非对映选择性串联光致降解-杂狄尔斯-阿尔德环加成反应

  摘要：

  的（ê）-photoenols原位产生由光解ö -tolualdehydes 1 - 5在固体状态下与前体反应的醛如在杂狄尔斯-阿尔德环加成方式的亲二烯体，得到反式-3- arylisochromanols以优良产率和在高非对映选择性。对三种不同类别的合理设计的醛的反应性进行的研究表明，对于（（E）-光烯醇（i）比其相应的苯并环丁烯醇更稳定，并且（ii）在空间上不拥挤。然而，快速环化benzocyclobutenols被发现对于空间位阻（唯一途径ë）-enols由醛衍生的6 - 8。鉴于在固态heteromolecular反应的执行是一个挑战，用简单的结晶获得的结果Ò-甲苯甲醛是引人注目的，并且涉及在双亲亲晶体中原位生成二烯醇以高度非对映选择性的方式实现异Diels-Alder反应的策略是前所未有的。在当代合成有机化学中对串联/多米诺反应的极大兴趣的背景下，邻甲苯甲醛所观察到的结果证明了固态下串联反应的成功实施。

  DOI：

  10.1021/jo048482a
• 作为产物：
  描述：

  alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 生成 5-溴-2,4-二甲基苯甲腈
  参考文献：
  名称：

  5-Bromo-2,4-xylic Acid. Nuclear Halogenation with Alkaline Hypohalite Solutions

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01307a037

文献信息

• CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090130849A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.

  本文描述了一种化学机械平整化（或其他抛光）的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率，包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
• METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100043823A1

  公开（公告）日：2010-02-25

  The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.

  本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法，包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分，如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。
• COMPOSITION COMPRISING CHELATING AGENTS CONTAINING AMIDOXIME COMPOUNDS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100105595A1

  公开（公告）日：2010-04-29

  The present invention is a novel aqueous cleaning solution for use in semiconductor front end of the line (FEOL) manufacturing process wherein the cleaning solution comprises at least one amidoxime compound.

  本发明是一种用于半导体前端制造过程中的新型水性清洗溶液，其中清洗溶液包含至少一种酰胺肟化合物。
• METHODS OF POST CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING USING AMIDOXIME COMPOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090133716A1

  公开（公告）日：2009-05-28

  The invention relates to a method for the removal of residues and contaminants from metal or dielectric surfaces and to a method for chemical mechanical polishing of a copper or aluminum surface. The methods of the invention include using an aqueous amidoxime complex agent. Optionally, the pH of the solution can be adjusted with an acid or base. The method includes applying the above composition to the copper or aluminum surface and polishing the surface in the presence of the composition.

  本发明涉及一种从金属或介电表面去除残留物和污染物的方法，以及一种化学机械抛光铜或铝表面的方法。本发明的方法包括使用水溶性的酰胺肟络合剂。可选地，可以使用酸或碱调整溶液的pH值。该方法包括将上述组合物应用于铜或铝表面，并在组合物存在的情况下抛光表面。
• COPPER CMP POLISHING PAD CLEANING COMPOSITION COMPRISING OF AMIDOXIME COMPOUNDS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090137191A1

  公开（公告）日：2009-05-28

  The present invention relates to methods of using amidoxime compositions for cleaning polishing pads, particularly after chemical mechanical planarization or polishing is provided. A polishing pad is cleaned of Cu CMP by-products, subsequent to or during planarizing a wafer, to reduce pad-glazing by applying to the polishing pad surface a composition comprising an aqueous amidoxime compound solution in water.

  本发明涉及使用氨基甲酰肼组合物清洁抛光垫的方法，特别是在化学机械平面化或抛光后提供的方法。在平面化晶片的过程中或之后，通过在抛光垫表面涂布含有水的氨基甲酰肼化合物溶液的组合物，清除铜化学机械抛光副产物，以减少垫面光泽。