3-(4-chlorobutanoyl)-7H-indole-5-carbonitrile

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吲哚及其衍生物
• 英文名称: 3-(4-chlorobutanoyl)-7H-indole-5-carbonitrile
• 化学式: C₁₃H₁₁ClN₂O
• 分子量: 246.69
• InChiKey: DLUWWXNRVZWQKA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.31
• 拓扑面积：
  53.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

文献信息

• [EN] CRYSTALLINE FORMS OF VILAZODONE HYDROCHLORIDE AND VILAZODONE FREE BASE<br/>[FR] FORMES CRISTALLINES DU CHLORHYDRATE DE VILAZODONE ET DE LA BASE LIBRE DE LA VILAZODONE
  申请人：REDDYS LAB LTD DR

  公开号：WO2013168126A1

  公开（公告）日：2013-11-14

  Provided are crystalline and amorphous vilazodone hydrochloride. Further provided are amorphous solid dispersions of vilazodone hydrochloride with pharmaceutically acceptable carries. Also provided is a process for the preparation of form I of vilazodone free base.

  提供的是结晶和非晶态的维拉唑酮盐酸盐。此外，还提供了与药用载体的非晶态固体分散体。同时还提供了一种制备维拉唑酮游离基的I型的方法。
• [EN] HAFNIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU HAFNIUM POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177284A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are hafnium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit hafnium oxide, hafnium silicon oxide and hafnium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU TITANE POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177292A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit titanium oxide, titanium silicon oxide and titanium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] ZIRCONIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU ZIRCONIUM POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177269A2

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit zirconium oxide, zirconium silicon oxide and zirconium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.