【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)のレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。[R1及びR2は、夫々独立に、H、F又はフッ化アルキル基;R3は、F原子又はフッ化アルキル基;L11は、置換/非置換のアルカンジイル基;R4及びR5は、夫々独立に、ハロゲン原子、置換/非置換のフッ化アルキル基又は置換/非置換のアルキル基;m4は0〜4の整数、m5は0〜5のいずれかの整数;AI−は、有機アニオンを表す。]【選択図】なし
【问题】提供能够制造良好的掩模误差因子(MEF)的盐、酸发生剂和含有它们的掩模组成物的方法。
【解决方案】公式(I)中所示的盐、酸发生剂和掩模组成物。 [R1和R2分别独立地表示H,F或
氟化烷基;R3表示F原子或
氟化烷基;L11表示取代/非取代的脂肪基;R4和R5各自独立地表示卤素原子,取代/非取代的
氟化烷基或取代/非取代的烷基;m4是0〜4的整数,m5是0〜5的任何一个整数;AI-表示有机阴离子。]【选择图】无