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3-oxo-octanedioic acid | 118643-54-2

中文名称
——
中文别名
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英文名称
3-oxo-octanedioic acid
英文别名
3-Oxo-octandisaeure;3-Oxooctanedioic acid
3-oxo-octanedioic acid化学式
CAS
118643-54-2
化学式
C8H12O5
mdl
——
分子量
188.18
InChiKey
LNLNOVHLNBZALI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.2
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.62
  • 拓扑面积:
    91.7
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • COMPOSITION FOR FORMING UPPER FILM AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN
    申请人:JSR Corporation
    公开号:EP1950610A1
    公开(公告)日:2008-07-30
    An upper layer-forming composition formed on a photoresist while causing almost no intermixing with the photoresist film and a photoresist patterning method are provided. The upper layer-forming composition is stably maintained without being eluted in a medium such as water during liquid immersion lithography and is easily dissolved in an alkaline developer. The upper layer-forming composition covers a photoresist film for forming a pattern by exposure to radiation. The composition comprises a resin dissolvable in a developer for the photoresist film and a solvent in which the resin is dissolved. The solvent has a viscosity of less than 5.2 x 10-3 Pa·s at 20°C. In addition, the solvent does not cause intermixing of the photoresist film and the upper layer-forming composition. The solvent contains an ether or a hydrocarbon.
    本发明提供了一种在光刻胶上形成的上层形成组合物,同时几乎不会造成与光刻胶膜的混合,并提供了一种光刻胶图案化方法。在液浸光刻过程中,上层形成组合物可稳定地保持在等介质中而不会被洗,并且很容易溶解在碱性显影剂中。上层形成组合物覆盖在光刻胶膜上,通过辐射形成图案。该组合物包括一种可溶解于光刻胶膜显影剂中的树脂和一种可溶解树脂的溶剂。溶剂在 20°C 时的粘度小于 5.2 x 10-3 Pa-s。此外,该溶剂不会造成光刻胶膜和上层形成组合物的混合。溶剂含有醚或烃。
  • Process for producing optically active alcohol
    申请人:Takasago International Corporation
    公开号:EP1176135B1
    公开(公告)日:2005-06-15
  • RUTHENIUM COMPLEXES OF PHOSPHINE-AMINOPHOSPHINE LIGANDS
    申请人:EASTMAN CHEMICAL COMPANY
    公开号:EP1758913B1
    公开(公告)日:2007-11-14
  • IMMERSION LITHOGRAPHIC COMPOSITION FOR FORMING UPPER FILM AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN
    申请人:JSR Corporation
    公开号:EP1950610B1
    公开(公告)日:2012-05-02
  • MICROORGANISMS AND METHODS FOR THE PRODUCTION OF BIOSYNTHESIZED TARGET PRODUCTS HAVING REDUCED LEVELS OF BYPRODUCTS
    申请人:Genomatica, Inc.
    公开号:EP3314002A1
    公开(公告)日:2018-05-02
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