N′-methoxy-N-methylbenzimidamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: N′-methoxy-N-methylbenzimidamide
• 英文别名: N-methoxy-N'-methylbenzenecarboximidamide
• 化学式: C₉H₁₂N₂O
• 分子量: 164.207
• InChiKey: YAQOYYXOVCNHKL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.4
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.22
• 拓扑面积：
  33.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) 、 N′-methoxy-N-methylbenzimidamide 以 正己烷 为溶剂， 以97 %的产率得到Ti(pnno)(NMe₂)₃
  参考文献：
  名称：

  用于抑制柱状显微结构的 TiN 薄膜原子层沉积的含偕胺肟的 Ti 前驱体

  摘要：

  本文报道了三种含有偕胺肟配体的新型钛络合物的合成，作为使用原子层沉积 (ALD) 制造的氮化钛 (TiN) 薄膜的潜在前体。一系列配体，即N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰胺 (mnnoH)、N'-乙氧基-N-甲基乙酰胺 (ennoH) 和N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰亚胺 (pnnoH) 被成功合成并用于生产 Ti(mnno)(NMe 2 ) 3 ( 4 )、Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 和 Ti(pnno)(NMe 2 )3（6）。配合物4 – 6的热重分析曲线显示单步重量损失高达 200 °C。热解发生在 200 °C 以上。在这三种新配合物中，有5 种在室温下呈液态。因此，使用 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 作为新型前体，通过 ALD 合成 TiN 。由 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5)前体和 NH 3等离子体沉积 TiN 薄膜，并通过

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.3c00141
• 作为产物：
  描述：

  N-甲基苯甲酰胺 、 甲氧基胺盐酸盐 在 硫酸二甲酯 、 三乙胺 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 以34 %的产率得到N′-methoxy-N-methylbenzimidamide
  参考文献：
  名称：

  用于抑制柱状显微结构的 TiN 薄膜原子层沉积的含偕胺肟的 Ti 前驱体

  摘要：

  本文报道了三种含有偕胺肟配体的新型钛络合物的合成，作为使用原子层沉积 (ALD) 制造的氮化钛 (TiN) 薄膜的潜在前体。一系列配体，即N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰胺 (mnnoH)、N'-乙氧基-N-甲基乙酰胺 (ennoH) 和N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰亚胺 (pnnoH) 被成功合成并用于生产 Ti(mnno)(NMe 2 ) 3 ( 4 )、Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 和 Ti(pnno)(NMe 2 )3（6）。配合物4 – 6的热重分析曲线显示单步重量损失高达 200 °C。热解发生在 200 °C 以上。在这三种新配合物中，有5 种在室温下呈液态。因此，使用 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 作为新型前体，通过 ALD 合成 TiN 。由 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5)前体和 NH 3等离子体沉积 TiN 薄膜，并通过

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.3c00141

文献信息

• Mechanism of amine and amide ion substitution reactions at the carbon-nitrogen double bond
  作者：James Elver Johnson、Abdolkarim Ghafouripour、Mohammad Arfan、Susan L. Todd、Deborah A. Sitz

  DOI：10.1021/jo00218a021

  日期：1985.9
• Amidoxime-Containing Ti Precursors for Atomic Layer Deposition of TiN Thin Films with Suppressed Columnar Microstructure
  作者：Ga Yeon Lee、Seungmin Yeo、Chan-Mi Cho、Seung Hoon Oh、Hyeonbin Park、Bo Keun Park、Seung Uk Son、Taeyong Eom、Taek-Mo Chung

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.3c00141

  日期：2023.3.20

  was achieved by varying the injection/purge duration. TiN thin film growths were observed with a growth per cycle (GPC) of 0.05–0.13 nm·cy–1 at deposition temperatures between 150 and 300 °C, while the measured resistivity was as low as 420 μΩ·cm. The high reactivity of the precursor promotes nucleation, resulting in TiN thin films with smooth, good step coverage and preferentially orientated microstructure

  本文报道了三种含有偕胺肟配体的新型钛络合物的合成，作为使用原子层沉积 (ALD) 制造的氮化钛 (TiN) 薄膜的潜在前体。一系列配体，即N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰胺 (mnnoH)、N'-乙氧基-N-甲基乙酰胺 (ennoH) 和N'-甲氧基-N-甲基苯甲酰亚胺 (pnnoH) 被成功合成并用于生产 Ti(mnno)(NMe 2 ) 3 ( 4 )、Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 和 Ti(pnno)(NMe 2 )3（6）。配合物4 – 6的热重分析曲线显示单步重量损失高达 200 °C。热解发生在 200 °C 以上。在这三种新配合物中，有5 种在室温下呈液态。因此，使用 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5 ) 作为新型前体，通过 ALD 合成 TiN 。由 Ti(enno)(NMe 2 ) 3 ( 5)前体和 NH 3等离子体沉积 TiN 薄膜，并通过