摘要:
摘要 研究了三甲基氯硅烷 (Me3SiCl) 和氯二甲基苯基硅烷 (PhMe2SiCl) 上的解离电子附着 (DEA),以揭示芳族侧基对 Si Cl 键解离的可能增强作用。计算表明苯环的最低未占据 π* 轨道与 σ*(Si Cl) 轨道之间存在相关相互作用,从而导致最低能量电子连接通道的降低。之前有报道称,这种情况会导致 DEA 的显着增强。然而,所研究的氯硅烷中能量最低的 DEA 通道低于自由基阴离子中 Si Cl 键解离的热力学极限,因此不能对 Cl- 产率做出贡献。结果,氯离子的释放实际上是主要的碎裂通道,但在 PhMe2SiCl 中 Cl- 产率没有明显提高。与 DEA 结果相反,在相同条件下 Me3SiCl、PhMe2SiCl 和苄基二甲基氯硅烷 (BzMe2SiCl) 在 THF 中还原偶联的比较实验表明,芳族侧基显着增强了反应性。由于这一发现与 DEA 结果无关,基于它们的垂