dimethylbenzylsilicon | 1631-70-5

• 物质功能分类: 化学试剂 - 硅烷试剂
• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: dimethylbenzylsilicon
• 英文别名: Benzyldimethylsilane
• CAS: 1631-70-5
• 化学式: C₉H₁₃Si
• 分子量: 149.288
• InChiKey: SKDKWDVYZOKBPL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  <0°C
• 沸点：
  69-71 °C/15 mmHg (lit.)
• 密度：
  0.949 g/mL at 25 °C (lit.)
• 闪点：
  133 °F

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.52
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 危险等级：
  3
• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26,S36
• 危险类别码：
  R36/37/38
• WGK Germany：
  3
• 危险品运输编号：
  UN 1993 3/PG 3
• 海关编码：
  2931900090
• 包装等级：
  III
• 危险类别：
  3
• 危险标志：
  GHS02,GHS07
• 危险性描述：
  H226,H315,H319,H335
• 危险性防范说明：
  P261,P305 + P351 + P338

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  苄基二甲基氯硅烷 在 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 dimethylbenzylsilicon
  参考文献：
  名称：

  氯硅烷的电子诱导解离：芳族侧基在气相和溶液化学中的作用

  摘要：

  摘要 研究了三甲基氯硅烷 (Me3SiCl) 和氯二甲基苯基硅烷 (PhMe2SiCl) 上的解离电子附着 (DEA)，以揭示芳族侧基对 Si Cl 键解离的可能增强作用。计算表明苯环的最低未占据 π* 轨道与 σ*(Si Cl) 轨道之间存在相关相互作用，从而导致最低能量电子连接通道的降低。之前有报道称，这种情况会导致 DEA 的显着增强。然而，所研究的氯硅烷中能量最低的 DEA 通道低于自由基阴离子中 Si Cl 键解离的热力学极限，因此不能对 Cl- 产率做出贡献。结果，氯离子的释放实际上是主要的碎裂通道，但在 PhMe2SiCl 中 Cl- 产率没有明显提高。与 DEA 结果相反，在相同条件下 Me3SiCl、PhMe2SiCl 和苄基二甲基氯硅烷 (BzMe2SiCl) 在 THF 中还原偶联的比较实验表明，芳族侧基显着增强了反应性。由于这一发现与 DEA 结果无关，基于它们的垂

  DOI：

  10.1016/j.ijms.2013.12.011

文献信息

• Electron-induced dissociation of chlorosilanes: Role of aromatic side groups in gas phase and solution chemistry
  作者：E. Böhler、J. Postler、D. Gschliesser、T. Borrmann、P. Scheier、S. Denifl、J. Beckmann、P. Swiderek

  DOI：10.1016/j.ijms.2013.12.011

  日期：2014.5

  chlorotrimethylsilane (Me3SiCl) and chlorodimethylphenylsilane (PhMe2SiCl) was studied to reveal a possible enhancing effect of the aromatic side group on the Si Cl bond dissociation. Calculations point to a relevant interaction between the lowest unoccupied π* orbital of the phenyl ring and the σ*(Si Cl) orbital and a consequent lowering of the lowest-energy electron attachment channel. It was previously

  摘要 研究了三甲基氯硅烷 (Me3SiCl) 和氯二甲基苯基硅烷 (PhMe2SiCl) 上的解离电子附着 (DEA)，以揭示芳族侧基对 Si Cl 键解离的可能增强作用。计算表明苯环的最低未占据 π* 轨道与 σ*(Si Cl) 轨道之间存在相关相互作用，从而导致最低能量电子连接通道的降低。之前有报道称，这种情况会导致 DEA 的显着增强。然而，所研究的氯硅烷中能量最低的 DEA 通道低于自由基阴离子中 Si Cl 键解离的热力学极限，因此不能对 Cl- 产率做出贡献。结果，氯离子的释放实际上是主要的碎裂通道，但在 PhMe2SiCl 中 Cl- 产率没有明显提高。与 DEA 结果相反，在相同条件下 Me3SiCl、PhMe2SiCl 和苄基二甲基氯硅烷 (BzMe2SiCl) 在 THF 中还原偶联的比较实验表明，芳族侧基显着增强了反应性。由于这一发现与 DEA 结果无关，基于它们的垂