在本文中,我们描述了在远端具有
蒽醌部分作为氧化还原活性头基,在近端具有两个
硫醇基脚的直链(S)和L形(L)降
冰片同源桥(NBs)的合成。分子在
金表面聚集。NB分子显示具有良好的表面氧化还原过程形成自组装单分子层(S
AMs)。通过使用原位红外光谱,循环伏安法,扫描隧道显微镜和电
化学阻抗谱对S
AM进行表征。与IR谱带强度相关的表面选择规则允许估算纯和稀释单层中
蒽醌部分相对于表面的位置以及桥相对于表面
法线的倾斜。结果表明,S-和L-NB分别使
蒽醌部分的平面靠近表面
法线或表面切线。如果在表面上被稀释剂隔开,则两个NB分子都不会改变其方向。与常用的结构上灵活的烷
硫醇单分子层相比,S-和L-NB S
AM的结构差异为研究
蒽醌部分跨自组装单层结构有限的歧义性控制
蒽醌部分电子转移的因素提供了一个合适的框架。 。