作者:Asato Mizuno、Helen Benjamin、Yasuhiro Shimizu、Yoshiaki Shuku、Michio M. Matsushita、Neil Robertson、Kunio Awaga
DOI:10.1002/adfm.201904181
日期:2019.10
A new anionic gold dithiolene complex NBu4·[1] is synthesized from the (1‐((1,1‐biphenyl)‐4‐yl‐)‐ethylene‐1,2‐dithiolene ligand 1, and the cis and trans isomers are separated by recrystallization. The trans isomer is oxidized via electrocrystallisation to the neutral gold dithiolene complex 2. Complex 2 crystalizes in 1D chains, held together by short (3.30–3.37 Å) S–S contacts, which are packed in
一种新的阴离子金二硫复杂NBU 4((1,1-二苯基)-4-基- - ·[1]从(1合成) -亚乙基-1,2-二硫配体1,以及顺式和反式异构体通过电结晶将反式异构体氧化成中性金二硫代金络合物2。络合物2在一维链中结晶,并通过短(3.30–3.37Å)S–S触点连接在一起,并以人字形排列。的AB -平面。该复合物表现出半导体行为(σ RT = 1.5×10 -4小号厘米-1)在室温下用小活化能(Ë一个= 0.11 eV),沿堆叠方向的电导率更高。配合物2的电荷传输行为在单晶场效应晶体管(FET)测量中得到了进一步研究,这是首次报道了二硫代金复合物的电荷测量。配合物2在单晶场效应晶体管(SC-FET)中显示出令人难以置信的平衡双极性行为,电荷载流子迁移率为0.078 cm 2 V -1 s -1,据报道是金属二硫杂环戊烯络合物的最高双极性迁移率。这种均衡的行为以及激活的电导率和能带结构计算表明