设计了四个新的带有端基的四噻吩衍生物,它们由二环己基乙基(DCE4T),二环己基丁基(DCB4T),环己基乙基(CE4T)和环己基丁基(CB4T)组成。所有材料在普通有机溶剂中均显示出高溶解度。紫外可见吸收测量表明,具有不对称取代的环己基端基(CE4T和CB4T)的四噻吩衍生物更喜欢H型聚集,而具有对称取代的环己基端基(DCE4T和DCB4T)的四噻吩衍生物更喜欢J型聚集。通过掠入射宽角X射线散射(GIWAXS)测量分析了新的四噻吩衍生物的分子结构相关堆积(H或J)。包含不对称分子CE4T和CB4T的设备的场效应迁移率非常高,高于10−2 cm 2 V -1 s -1,由于H聚集,而结合了对称分子DCE4T和DCB4T的器件的场效应迁移率很差,低于10 −4 cm 2 V -1 s -1,由于J聚合。更重要的是,薄膜中的H聚集在旋涂薄膜中提供了稳定的晶体形态,因此,使用环己基化的四噻吩的薄