Die Erfindung betrifft Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [Ru(aren)(Ra-N=CR1-CR3=N-Rb)] oder [Ru(aren)((Rc,Rd)N-N=CRH1-CRH3=N-N(Re,Rf))]. Dabei ist aren ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einkernigen und mehrkernigen Arenen und Heteroarenen. R1, R3, RH1, RH3 und Ra - Rf sind unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus H, einem Alkylrest (C1 - C10) und einem Arylrest. Sie betrifft weiterhin Verfahren zur Herstellung dieser Verbindungen, Verbindungen, erhältlich nach diesen Verfahren, deren Verwendung sowie ein Substrat, welches auf einer Oberfläche eine Ruthenium-Schicht oder eine Ruthenium enthaltende Schicht aufweist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Verbindungen [Ru(aren)X2]2, wobei aren ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einkernigen und mehrkernigen Arenen und X = Halogen, Verbindungen dieses Typs, erhältlich nach diesem Verfahren, und deren Verwendung. Die vorgenannten Ruthenium(0)-Verbindungen sind auf einfache, kostengünstige und reproduzierbare Art und Weise in hoher Reinheit und guter Ausbeute darstellbar. Aufgrund ihrer hohen Reinheit sind sie für den Einsatz als Ruthenium(0)-Präkursoren geeignet.
本发明涉及通式为[Ru(arene)(Ra-N=CR1-CR3=N-Rb)]或[Ru(arene)((Rc,Rd)N-N=CRH1-CRH3=N-N(Re,Rf))]的化合物。其中 aren 选自单核和多核碳和杂
环戊烯组成的组。R1、R3、RH1、RH3 和 Ra - Rf 独立地选自由 H、烷基(C1 - C10)和芳基组成的组。本发明还涉及这些化合物的制备工艺、可通过这些工艺获得的化合物、其用途以及表面具有
钌层或含
钌层的基底。此外,本发明还涉及一种化合物[Ru(arene)X2]2的制备工艺,其中arene选自由单核和多核arene组成的组,X=卤素;通过该工艺可获得的此类化合物及其用途。上述
钌(0)化合物可以通过简单、廉价和可重复的方式合成,纯度高,收率好。由于纯度高,它们适合用作
钌(0)前体。