6,17-Dihexyl-3,11,12,20-tetrathiapentacyclo[11.7.0.02,10.04,9.014,19]icosa-1(13),2(10),4(9),5,7,14(19),15,17-octaene | 1261027-84-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 6,17-Dihexyl-3,11,12,20-tetrathiapentacyclo[11.7.0.02,10.04,9.014,19]icosa-1(13),2(10),4(9),5,7,14(19),15,17-octaene
• 英文别名: 6,17-dihexyl-3,11,12,20-tetrathiapentacyclo[11.7.0.02,10.04,9.014,19]icosa-1(13),2(10),4(9),5,7,14(19),15,17-octaene
• CAS: 1261027-84-2
• 化学式: C₂₈H₃₂S₄
• 分子量: 496.826
• InChiKey: OFNAZYOCJKGXMM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.8
• 重原子数：
  32
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  107
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  6,17-Dihexyl-3,11,12,20-tetrathiapentacyclo[11.7.0.02,10.04,9.014,19]icosa-1(13),2(10),4(9),5,7,14(19),15,17-octaene 在 bis(1,5-cyclooctadiene)nickel (0) 、 三苯基膦 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 11.0h， 以40.6%的产率得到C₆-DBTDT
  参考文献：
  名称：

  High-performance organic field-effect transistors based on dihexyl-substituted dibenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene

  摘要：

  一种新型噻吩并烯烃化合物--二己基取代二苯并[d,dâ²]噻吩并[3,2-b;4,5-bâ²]二噻吩（C6-DBTDT），被开发成一种用于高性能有机场效应晶体管的 p 型有机半导体。在接触界面插入受体材料可大幅降低阈值电压和滞后行为，在室温和 80 ° C 真空沉积的 C6-DBTDT 薄膜的场效应迁移率分别达到 2.5 和 3.1 cm2 Vâ1 sâ1。

  DOI：

  10.1039/c2jm30840a
• 作为产物：
  描述：

  4-己基苯胺 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 copper(l) iodide 、 四(三苯基膦)钯 、 四甲基乙二胺 、 硫酸 、 ammonium acetate 、 叔丁基锂 、 potassium carbonate 、 二异丙胺 、 sodium nitrite 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 水 、 丙酮 、 乙腈 、 正戊烷 为溶剂， 反应 19.33h， 生成 6,17-Dihexyl-3,11,12,20-tetrathiapentacyclo[11.7.0.02,10.04,9.014,19]icosa-1(13),2(10),4(9),5,7,14(19),15,17-octaene
  参考文献：
  名称：

  High-performance organic field-effect transistors based on dihexyl-substituted dibenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene

  摘要：

  一种新型噻吩并烯烃化合物--二己基取代二苯并[d,dâ²]噻吩并[3,2-b;4,5-bâ²]二噻吩（C6-DBTDT），被开发成一种用于高性能有机场效应晶体管的 p 型有机半导体。在接触界面插入受体材料可大幅降低阈值电压和滞后行为，在室温和 80 ° C 真空沉积的 C6-DBTDT 薄膜的场效应迁移率分别达到 2.5 和 3.1 cm2 Vâ1 sâ1。

  DOI：

  10.1039/c2jm30840a

文献信息

• SUBSTITUTED BENZOCHALCOGENOACENE COMPOUND, THIN FILM COMPRISING THE COMPOUND, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE THIN FILM
  申请人：Miyata Yasuo

  公开号：US20120190868A1

  公开（公告）日：2012-07-26

  Provided are a novel compound suitable as an organic semiconductor material, the compound being a substituted benzochalcogenoacene compound represented by the formula (1), a thin film comprising the compound, and an organic semiconductor device having the thin film as a component. In the formula (1), each E independently represents a sulfur or selenium atom, and R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted C 4-30 alkyl group, an optionally substituted C 4-30 alkoxy group, an optionally substituted C 6-30 aryl group, an optionally substituted C 7-30 aralkyl group, an optionally substituted C 4-30 heteroaryl group, an optionally substituted C 5-30 heteroaralkyl group, or an optionally fluorinated C 3-30 trialkylsilyl group, both R 1 and R 2 being not hydrogen atoms.

  提供了一种新型化合物，适用于有机半导体材料，该化合物是由式（1）表示的取代苯基硫属或硒属芴化合物，还包括该化合物的薄膜以及将该薄膜作为组件的有机半导体器件。在式（1）中，每个E分别表示硫或硒原子，R1和R2各自独立地表示氢原子、可选取代的C4-30烷基、可选取代的C4-30烷氧基、可选取代的C6-30芳基、可选取代的C7-30芳基烷基、可选取代的C4-30杂环芳基、可选取代的C5-30杂环芳基烷基或可选氟化的C3-30三取代硅烷基，R1和R2均不是氢原子。
• EP2452942
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• High-performance organic field-effect transistors based on dihexyl-substituted dibenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene
  作者：Yasuo Miyata、Eiji Yoshikawa、Takeo Minari、Kazuhito Tsukagoshi、Shigehiro Yamaguchi

  DOI：10.1039/c2jm30840a

  日期：——

  A novel thienoacene compound, dihexyl-substituted dibenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene (C6-DBTDT), is developed as a p-type organic semiconductor for high-performance organic field-effect transistors. Insertion of an acceptor material at the contact interface enables substantial reduction in the threshold voltage and hysteresis behavior, and the field-effect mobilities of 2.5 and 3.1 cm2 V−1 s−1 are achieved for the C6-DBTDT film vacuum-deposited at room temperature and 80 °C, respectively.

  一种新型噻吩并烯烃化合物--二己基取代二苯并[d,dâ²]噻吩并[3,2-b;4,5-bâ²]二噻吩（C6-DBTDT），被开发成一种用于高性能有机场效应晶体管的 p 型有机半导体。在接触界面插入受体材料可大幅降低阈值电压和滞后行为，在室温和 80 ° C 真空沉积的 C6-DBTDT 薄膜的场效应迁移率分别达到 2.5 和 3.1 cm2 Vâ1 sâ1。