4-oxohept-6-enoic acid | 71195-88-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 酮酸及其衍生物
• 英文名称: 4-oxohept-6-enoic acid
• CAS: 71195-88-5
• 化学式: C₇H₁₀O₃
• mdl: MFCD19230413
• 分子量: 142.155
• InChiKey: NPPCPCXSUGRMKM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.1
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.428
• 拓扑面积：
  54.4
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-oxohept-6-enoic acid 、 盐酸 生成 (E)-4,6-heptadien-4-olide
  参考文献：
  名称：

  TRAVERSO G.; PIRILLO D.; RESCIA G., FARMACO. ED. SCI., 1979, 34, NO 6, 518-525

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  4-Keto-6-n-methylheptenoat 在 sodium hydroxide 作用下， 生成 4-oxohept-6-enoic acid
  参考文献：
  名称：

  Traverso; Pirillo; Rescia, Farmaco, Edizione Scientifica, 1979, vol. 34, # 6, p. 518 - 525

  摘要：

  DOI：

文献信息

• 酰基酸类衍生物及其制备方法和医药用途
  申请人：中国医学科学院基础医学研究所

  公开号：CN111253246B

  公开（公告）日：2023-03-17

  本发明涉及酰基酸类衍生物及其制备方法和医药用途。具体地，本发明涉及通式(I)所示的化合物或其药学上可接受的盐或含有其的药物组合物，以及其作为有效成分在预防和/或治疗肌肉萎缩相关疾病包括肌源性肌肉萎缩、废用性肌肉萎缩、老年性肌肉萎缩、神经源性肌肉萎缩中的用途，以及在预防和/或治疗肥胖症、脂肪肝、心脑血管疾病、代谢性疾病，以及抗衰老中的用途。其中，通式(I)中各基团的定义与说明书中的定义相同。
• Volatile precursors for deposition of metals and metal-containing films
  申请人：——

  公开号：US20020013487A1

  公开（公告）日：2002-01-31

  This invention is directed to a group of novel homologous eight membered ring compounds having a metal, such as copper, reversibly bound in the ring and containing carbon, nitrogen, silicon and/or other metals. A structural representation of the compounds of this invention is shown below: 1 wherein M and M′ are each a metal such as Cu, Ag, Au and Ir; X and X′ can be N or O; Y and Y′ can be Si, C; Sn, Ge, or B; and Z and Z′ can be C, N, or O. Substituents represented by R1, R2, R3, R4, R5, R6, R1′, R2′, R3′, R4′, R5′, and R6′ will vary depending on the ring atom to which they are attached. This invention is also directed to depositing metal and metal-containing films on a substrate, under ALD or CVD conditions, using the above novel compounds as precursors.

  本发明涉及一组新型同源的八元环化合物，其中含有金属（例如铜）可逆地结合在环中，并含有碳、氮、硅和/或其他金属。该发明化合物的结构表示如下：1其中M和M'均为金属，如Cu、Ag、Au和Ir；X和X'可以是N或O；Y和Y'可以是Si、C、Sn、Ge或B；Z和Z'可以是C、N或O。由R1、R2、R3、R4、R5、R6、R1'、R2'、R3'、R4'、R5'和R6'表示的取代基将取决于它们附着的环原子。本发明还涉及使用上述新型化合物作为前体，在ALD或CVD条件下在基底上沉积金属和含金属的薄膜。
• Precursors for metal containing films
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：EP1471568A1

  公开（公告）日：2004-10-27

  The present invention is a 1-azaallyl compound of the formula: and metal coordination complexes of a representative compound, such as Et(N)C(tBu)CH2SiMe3, wherein Et = ethyl, tBu = tertiary butyl and Me = methyl, and processes for depositing metal and metal compound films, such as metal nitride and metal oxide films on electronic materials substrates using CVD or ALD of those metal coordination complexes of the compound.

  本发明涉及一种1-azaallyl化合物，其化学式为：以及代表性化合物的金属配位复合物，例如Et（N）C（tBu）CH2SiMe3，其中Et =乙基，tBu =叔丁基，Me =甲基，并且使用该化合物的金属配位复合物的CVD或ALD在电子材料基板上沉积金属和金属化合物薄膜，例如金属氮化物和金属氧化物薄膜的过程。
• US4931219A
  申请人：——

  公开号：US4931219A

  公开（公告）日：1990-06-05
• US5091559A
  申请人：——

  公开号：US5091559A

  公开（公告）日：1992-02-25