5-ethyl-2,3,3-trimethylpyrrolidine | 468095-28-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡咯烷类
• 英文名称: 5-ethyl-2,3,3-trimethylpyrrolidine
• CAS: 468095-28-5
• 化学式: C₉H₁₉N
• mdl: MFCD19220522
• 分子量: 141.257
• InChiKey: NEGIBKLHAGQWPU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  12
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  苯甲酰氯 、 5-ethyl-2,3,3-trimethylpyrrolidine 在 吡啶 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 3.0h， 以72%的产率得到1-benzoyl-5-ethyl-2,3,3-trimethylpyrrolidine
  参考文献：
  名称：

  3H-吡咯、亚烷基-吡咯啉和功能化的吡咯烷通过 β-烯丙基亚胺基自由基的自由基环化

  摘要：

  在这项工作中，我们表明氢化锡介导的丙二烯系二氨基硫脲 4 的反应是制备五元不饱和氮杂环的便捷方法。氨基脲部分的锡自由基的硫导向分子间攻击导致丙二烯系亚胺基自由基，然后进行 5-exo-dig 环化，导致 3H-吡咯 5 和亚烷基吡咯啉 6；在某些情况下会发生 5 到 6 的热异构化。

  DOI：

  10.1002/1099-0690(200103)2001:5<941::aid-ejoc941>3.0.co;2-e
• 作为产物：
  描述：

  3,3-dimethyl-4,5-heptadien-2-one 在 偶氮二异丁腈 、 4 A molecular sieve 、 三正丁基氢锡 、 对甲苯磺酸 作用下， 以 环己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 26.0h， 生成 5-ethyl-2,3,3-trimethylpyrrolidine
  参考文献：
  名称：

  3H-吡咯、亚烷基-吡咯啉和功能化的吡咯烷通过 β-烯丙基亚胺基自由基的自由基环化

  摘要：

  在这项工作中，我们表明氢化锡介导的丙二烯系二氨基硫脲 4 的反应是制备五元不饱和氮杂环的便捷方法。氨基脲部分的锡自由基的硫导向分子间攻击导致丙二烯系亚胺基自由基，然后进行 5-exo-dig 环化，导致 3H-吡咯 5 和亚烷基吡咯啉 6；在某些情况下会发生 5 到 6 的热异构化。

  DOI：

  10.1002/1099-0690(200103)2001:5<941::aid-ejoc941>3.0.co;2-e

文献信息

• Stereoselective reduction and reductive dephosphonylation of β-iminophosphonates
  作者：Mohamed Amedjkouh、Jacques Grimaldi

  DOI：10.1016/s0040-4039(02)00521-x

  日期：2002.5

  Proline-like 2,4-dialkyl-5-phosphonylpyrrolidines 2 were obtained stereoselectively by reduction of the corresponding beta-iminophosphonates 1 with NaBH4. The detailed characterization of compounds 2 was accomplished by H-1 and C-13 NMR as well as by crystal structure analysis. When 1 was reduced with LiAlH4 the reaction gave dephosphonylated pyrrolidines 3. The latter method is suitable for providing substituted pyrrolidines regioselectively. A possible mechanism for the dephosphonylation is proposed. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
• [EN] HAFNIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU HAFNIUM POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177284A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are hafnium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit hafnium oxide, hafnium silicon oxide and hafnium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] TITANIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU TITANE POUR UN DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177292A1

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit titanium oxide, titanium silicon oxide and titanium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
• [EN] ZIRCONIUM-CONTAINING PRECURSORS FOR VAPOR DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS CONTENANT DU ZIRCONIUM POUR LE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
  申请人：AIR LIQUIDE

  公开号：WO2013177269A2

  公开（公告）日：2013-11-28

  Disclosed are zirconium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The precursors may be used to deposit zirconium oxide, zirconium silicon oxide and zirconium-metal oxide containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.