2-oxohexahydropyrimidin-5-yl 4-vinylbenzoate | 1355393-92-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-oxohexahydropyrimidin-5-yl 4-vinylbenzoate
• 英文别名: (2-Oxo-1,3-diazinan-5-yl) 4-ethenylbenzoate
• CAS: 1355393-92-8
• 化学式: C₁₃H₁₄N₂O₃
• 分子量: 246.266
• InChiKey: LFBQUSVPWVLBTO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.23
• 拓扑面积：
  67.4
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-oxohexahydropyrimidin-5-yl 4-vinylbenzoate 、 氯甲基甲基醚 在 N,N-二异丙基乙胺 、 sodium iodide 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 5.0h， 以55%的产率得到1,3-bis(methoxymethyl)-2-oxohexahydropyrimidin-5-yl 4-vinylbenzoate
  参考文献：
  名称：

  POLYMERIZABLE MONOMERS

  摘要：

  提供了一个式子为（1）的单体，其中R1是氢或一价的C1-C6碳氢基团，R2是具有聚合功能的基团。使用这种单体，可以将交联单元并入聚合物链中。具有交联单元的基聚合物的化学放大负性光阻组合物具有高灵敏度，并形成具有最小LER的光阻图案。

  公开号：

  US20120029193A1
• 作为产物：
  描述：

  4-乙烯基苯甲酰氯 在 NaOH 作用下， 以 四氢呋喃 、 异丙醚 、 水 、 乙腈 为溶剂， 以65%的产率得到2-oxohexahydropyrimidin-5-yl 4-vinylbenzoate
  参考文献：
  名称：

  Polymer, chemically amplified negative resist composition, and patterning process

  摘要：

  公开号：

  EP2412733B1

文献信息

• Polymerizable monomers
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2413192A1

  公开（公告）日：2012-02-01

  A monomer of formula (1) is provided wherein R1 is hydrogen or a monovalent C1-C6 hydrocarbon group, and R2 is a group having polymerization functionality. Using the monomer, crosslinking units can be incorporated into a polymer chain. A chemically amplified negative resist composition comprising a base polymer having crosslinking units incorporated therein has a high sensitivity and forms a resist pattern with minimized LER.

  提供了式 (1) 单体，其中 R1 是氢或一价 C1-C6 烃基，R2 是具有聚合官能度的基团。使用该单体可将交联单元加入聚合物链中。化学放大阴性抗蚀剂组合物由含有交联单元的基础聚合物组成，具有高灵敏度，可形成具有最小 LER 的抗蚀图案。
• POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Masunaga Keiichi

  公开号：US20120028190A1

  公开（公告）日：2012-02-02

  A polymer is provided comprising recurring units having a N,N′-bis(alkoxymethyl)tetrahydropyrimidinone or N,N′-bis(hydroxymethyl)tetrahydropyrimidinone structure on a side chain. When a chemically amplified negative resist composition is formulated using the polymer and processed by lithography, a fine resist pattern can be formed with the advantages of improved LER and high resolution.
• US8501942B2
  申请人：——

  公开号：US8501942B2

  公开（公告）日：2013-08-06
• US8470512B2
  申请人：——

  公开号：US8470512B2

  公开（公告）日：2013-06-25