6,13-diformylpentacene | 1275597-76-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 并四苯
• 英文名称: 6,13-diformylpentacene
• 英文别名: Pentacene-6,13-dicarbaldehyde
• CAS: 1275597-76-6
• 化学式: C₂₄H₁₄O₂
• 分子量: 334.374
• InChiKey: IGNOIWKFXJTBAW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.6
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  6,13-diformylpentacene 在 sodium chlorite 、 sodium dihydrogenphosphate 、 2-甲基-2-丁烯 、 对苯二甲醚 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 16.0h， 生成 pentacene-6,13-dicarboxylic acid
  参考文献：
  名称：

  使用三氟甲磺酸铋（III）介导的双环化反应合成并五苯，并四苯和蒽双酰亚胺。

  摘要：

  通过三氟甲磺酸铋介导的酰氯和异氰酸酯的双环化反应合成了新型的双酰亚胺融合的并苯。它们的光学和电学性质显示出比其母本苯并乙炔的HOMO-LUMO间隙小得多。基于并四苯双酰亚胺制造的OFET显示出n型OFET输出。

  DOI：

  10.1039/c1cc13980k
• 作为产物：
  描述：

  Hexacyclo[10.10.2.02,11.04,9.013,22.015,20]tetracosa-2,4,6,8,10,14,16,18,20-nonaene-23,24-diol 在 2-碘酰基苯甲酸 作用下， 以 二甲基亚砜 为溶剂， 反应 0.33h， 生成 6,13-diformylpentacene
  参考文献：
  名称：

  Synthesis, Properties, and Ambipolar Organic Field-Effect Transistor Performances of Symmetrically Cyanated Pentacene and Naphthacene as Air-Stable Acene Derivatives

  摘要：

  5,12-Dicyanonaphthacene and 6,13-dicyanopentacene have been synthesized for the first time. The LUMO and HOMO levels are deepened as predicted and fabricated organic field-effect transistors (OFETs) showed ambipolar responses with carrier mobilities of 10(-3) cm(2)/V.s.

  DOI：

  10.1021/ol200145r

文献信息

• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：OGIHARA Tsutomu

  公开号：US20120142193A1

  公开（公告）日：2012-06-07

  There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formula (1-1) and/or general formula (1-2), and one or more kinds of compounds and/or equivalent bodies thereof represented by the following general formula (2). There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.