[EN] QUANTUM DOT FILM, QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREOF<br/>[FR] FILM DE POINTS QUANTIQUES, DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION<br/>[ZH] 量子点薄膜,量子点发光二极管及其制备方法
申请人:TCL TECH GROUP CORP
公开号:WO2021129761A9
公开(公告)日:2021-07-29
[EN] The present application belongs to the technology field of light-emitting diode, and specifically relates to a quantum dot film, one surface of the quantum dot film is grafted with a first ammonium halide ligand, the other surface of the quantum dot film opposite to the surface grafted with the first ammonium halide ligand is grafted with a second ammonium halide ligand. The provided quantum dot film can improve the efficiency of injection of the hole and electron into the quantum dot light-emitting layer through different types of ammonium halide ligands grafted on the surfaces of both sides, so that the injection of the hole and electron into the quantum dot light-emitting layer is balanced, and the recombination efficiency of the hole and electron in the quantum dot light-emitting layer is improved. Under the premise of not affecting the optical performance of quantum dot, it not only significantly improves the stability and dispersion of the quantum dot, but also improves the recombination probability of carrier in the quantum dot light-emitting layer.
[FR] La présente invention relève du domaine technologique de la diode électroluminescente et concerne particulièrement un film de points quantiques. Une surface du film de points quantiques est greffée avec un premier ligand d'halogénure d'ammonium, l'autre surface du film de points quantiques, opposée à la surface greffée avec le premier ligand d'halogénure d'ammonium, est greffée avec un second ligand d'halogénure d'ammonium. Le film de points quantiques fourni peut améliorer l'efficacité d'injection de trou et d'électron dans la couche électroluminescente à points quantiques par l'intermédiaire de différents types de ligands d'halogénure d'ammonium greffés sur les surfaces des deux côtés, de sorte que l'injection de trou et d'électron dans la couche électroluminescente à points quantiques est équilibrée, et l'efficacité de recombinaison du trou et de l'électron dans la couche électroluminescente à points quantiques est améliorée. Selon le principe de ne pas avoir d'incidence sur l'efficacité optique du point quantique, l'invention améliore non seulement la stabilité et la dispersion du point quantique, mais également la probabilité de recombinaison du porteur dans la couche électroluminescente à points quantiques.
[ZH] 属于发光二极管技术领域,具体涉及一种量子点薄膜,所述量子点薄膜的一表面接枝有第一卤化铵配体,所述量子点薄膜中与接枝有第一卤化铵配体的表面背对的另一表面接枝有第二卤化铵配体。提供的量子点薄膜,可通过两侧表面接枝的不同类型的卤化铵配体,改善空穴和电子向量子点发光层的注入效率,使空穴和电子向量子点发光层注入平衡,提高空穴和电子在量子点发光层中的复合效率。在不影响量子点的光学性能的前提下,不但显著提高量子点的稳定性和分散性,同时提高载流子在量子点发光层中的复合几率。