1,4-bis(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-butane-1,4-dione | 1209469-48-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 1,4-bis(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-butane-1,4-dione
• CAS: 1209469-48-6
• 化学式: C₇₀H₁₀₆O₂S₆Si₂
• 分子量: 1228.18
• InChiKey: DKOKKWIILNIRFK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  26.53
• 重原子数：
  80.0
• 可旋转键数：
  45.0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.63
• 拓扑面积：
  34.14
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  8.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,4-bis(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-butane-1,4-dione 在 劳森试剂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 18.0h， 以82%的产率得到5,5'-bis(11-(2-(ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2":5",2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2''''''-septithiophene
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n
• 作为产物：
  描述：

  2,2-(ethane-1,2-diyl)bis[2-(5-bromothiophen-2-yl)-1,3-dioxolane] 在 盐酸 、 四(三苯基膦)钯 、 水 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 40.0h， 生成 1,4-bis(5-(11-((2-ethylhexyl)dimethylsilyl)undec-1-yl)-2,2':5',2"-terthien-5"-yl)-butane-1,4-dione
  参考文献：
  名称：

  通过裁定取代基精细调整Septithiophenes的固态性质

  摘要：

  提出了一系列五个α，ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反，由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管（OFET）的所有迁移率都在相同的范围内（0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1）。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实：如依赖温度的X射线衍射所揭示的，在室温下，固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外，五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此，调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性，并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。

  DOI：

  10.1021/cm903444n