含有吡啶二酯间隔基的新的bis-TTF供体(TTF为四硫富瓦烯),即bis {2-[((6,7-四亚甲基-3-甲基硫烷基四硫富瓦烯-2-基)硫烷基]乙基}吡啶-2,6-二羧酸二酯合成了四氰基喹二甲烷-二氯甲烷(2/1/2),2C 33 H 33 NO 4 S 12 ·C 12 H 4 N 4 ·2CH 2 Cl 2,并通过循环伏安法测定了其供电子能力。该供体-受体(DA的电导率和晶体结构提出了以TCNQ(四氰基喹二甲烷)为受体的复合物。TCNQ部分位于晶体反演中心。在晶体结构中,TTF和TCNQ实体交替排列。该特征,与TCNQ分子的键长在一起,表明预期电荷转移还没有发生,而且d和甲实体是在中立状态下,在与材料的较差电导率(σ协议RT = 2× 10 -6 S cm -1)。
含有吡啶二酯间隔基的新的bis-TTF供体(TTF为四硫富瓦烯),即bis {2-[((6,7-四亚甲基-3-甲基硫烷基四硫富瓦烯-2-基)硫烷基]乙基}吡啶-2,6-二羧酸二酯合成了四氰基喹二甲烷-二氯甲烷(2/1/2),2C 33 H 33 NO 4 S 12 ·C 12 H 4 N 4 ·2CH 2 Cl 2,并通过循环伏安法测定了其供电子能力。该供体-受体(DA的电导率和晶体结构提出了以TCNQ(四氰基喹二甲烷)为受体的复合物。TCNQ部分位于晶体反演中心。在晶体结构中,TTF和TCNQ实体交替排列。该特征,与TCNQ分子的键长在一起,表明预期电荷转移还没有发生,而且d和甲实体是在中立状态下,在与材料的较差电导率(σ协议RT = 2× 10 -6 S cm -1)。