3,4-dibutyl-2,5-bis[5-[5-(3,4-dibutyl-5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene | 383182-61-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 3,4-dibutyl-2,5-bis[5-[5-(3,4-dibutyl-5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
• CAS: 383182-61-4
• 化学式: C₆₀H₆₈S₉
• 分子量: 1077.79
• InChiKey: XRQYEMQEXZHEPD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  23.63
• 重原子数：
  69.0
• 可旋转键数：
  26.0
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  9.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,4-dibutyl-2,5-bis[5-[5-(3,4-dibutyl-5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene 、 potassium thioacyanate 在 溴 作用下， 以 甲醇 、 氯仿 为溶剂， 反应 4.0h， 以72.3%的产率得到[5-[3,4-Dibutyl-5-[5-[5-[3,4-dibutyl-5-[5-[5-[3,4-dibutyl-5-(5-thiocyanatothiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl] thiocyanate
  参考文献：
  名称：

  由低聚噻吩二硫醇桥接的金纳米颗粒组成的分子连接表现出光响应特性。

  摘要：

  合成并表征了具有不同数目的噻吩环（3、6或9）的三种低聚噻吩二硫醇。本文报道了对噻吩2和对噻吩5的X射线单晶结构，显示了确切的分子长度，并解释了由不同堆积模式引起的紫外可见光谱之间的差异。然后，在存在1微米间隙的Au电极的情况下，通过原位硫醇-硫醇配体交换，将这些具有不同链长的二硫醇用2-十二烷硫醇保护的活性金纳米颗粒（Au-NPs）处理。因此，制备了由自组装膜组成的分子结，其中寡噻吩二硫醇桥联的Au-NP通过Au-S键合触点连接到两个电极上。通过SEM和AFM方法研究了这些薄膜的形貌和电流-电压（IV）特性，这表明薄膜的厚度（3-4层）在一个孤立的Au-NP的尺寸内变化，并且典型地取决于距离可以观察到半导体性能。对这些分子连接进行了随温度变化的IV测量，其中薄膜在6-300 K的温度范围内用作活性元素。进行了经典的Arrhenius图和随后的线性拟合，以得出设备的激活能（deltaE）。此外，分别在80

  DOI：

  10.1002/chem.200500822
• 作为产物：
  描述：

  5,5''-Dibromo-3',4'-dibutyl-2,2':5',2''-terthiophene 、 5-bromo-3',4'-dibutyl-2,2':5',2''-terthiophene 在 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 碘 、 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 21.0h， 以74.4%的产率得到3,4-dibutyl-2,5-bis[5-[5-(3,4-dibutyl-5-thiophen-2-ylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
  参考文献：
  名称：

  由低聚噻吩二硫醇桥接的金纳米颗粒组成的分子连接表现出光响应特性。

  摘要：

  合成并表征了具有不同数目的噻吩环（3、6或9）的三种低聚噻吩二硫醇。本文报道了对噻吩2和对噻吩5的X射线单晶结构，显示了确切的分子长度，并解释了由不同堆积模式引起的紫外可见光谱之间的差异。然后，在存在1微米间隙的Au电极的情况下，通过原位硫醇-硫醇配体交换，将这些具有不同链长的二硫醇用2-十二烷硫醇保护的活性金纳米颗粒（Au-NPs）处理。因此，制备了由自组装膜组成的分子结，其中寡噻吩二硫醇桥联的Au-NP通过Au-S键合触点连接到两个电极上。通过SEM和AFM方法研究了这些薄膜的形貌和电流-电压（IV）特性，这表明薄膜的厚度（3-4层）在一个孤立的Au-NP的尺寸内变化，并且典型地取决于距离可以观察到半导体性能。对这些分子连接进行了随温度变化的IV测量，其中薄膜在6-300 K的温度范围内用作活性元素。进行了经典的Arrhenius图和随后的线性拟合，以得出设备的激活能（deltaE）。此外，分别在80

  DOI：

  10.1002/chem.200500822