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4-(pyren-1-yl)butyl methacrylate | 71254-27-8

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-(pyren-1-yl)butyl methacrylate
英文别名
4-(Pyren-1-yl)butyl 2-methylprop-2-enoate;4-pyren-1-ylbutyl 2-methylprop-2-enoate
4-(pyren-1-yl)butyl methacrylate化学式
CAS
71254-27-8
化学式
C24H22O2
mdl
——
分子量
342.437
InChiKey
VNDMNYMSTFOXFZ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.9
  • 重原子数:
    26
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.21
  • 拓扑面积:
    26.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    4-(1-芘基)-1-丁醇甲基丙烯酰氯三乙胺 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 2.0h, 生成 4-(pyren-1-yl)butyl methacrylate
    参考文献:
    名称:
    Effects of Nanoscale Confinement and Interfaces on the Glass Transition Temperatures of a Series of Poly(n-methacrylate) Films
    摘要:
    我们利用染料标记聚合物的荧光来测量一系列聚(正甲基丙烯酸甲酯)单层薄膜以及双层薄膜表面和二氧化硅界面附近的玻璃化转变温度(Tgs)。在纳米尺度的限制下,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑在二氧化硅上的薄膜的平均 Tg 会升高,聚甲基丙烯酸乙酯(PEMA)和聚甲基丙烯酸丙酯(PIBMA)的平均 Tg 会降低,聚甲基丙烯酸异丁酯(PIBMA)的平均 Tg 几乎不变。这些趋势与在双层薄膜中测量到的表面和基底对 Tg 的局部扰动的相对强度一致。在 PMMA 中,通过聚合物与二氧化硅表面羟基之间的氢键相互作用而增加 Tg 的基底效应强于自由表面效应。在 PEMA 中,自由表面效应通过降低玻璃转化动力学所需的合作性来降低 Tg,这种效应强于基底效应。在 PIBMA 中,基底效应和自由表面效应对局部 Tg 的扰动强度相似,因此在测量单层薄膜时,这两种效应会相互抵消。
    DOI:
    10.1071/ch07234
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文献信息

  • NANOCOMPOSITE AND DISPERSION COMPRISING THE SAME
    申请人:Morishita Takuya
    公开号:US20120053288A1
    公开(公告)日:2012-03-01
    A nanocomposite comprises a nanostructure, and a copolymer adsorbed to the nanostructure and containing at least one ionic monomer unit and a different monomer unit from the ionic monomer unit; the ionic monomer unit selected from the group consisting of a zwitterionic monomer unit and a cationic monomer unit which are represented by the following formula (1): (in the formula (1), R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent any one of a hydrogen atom and a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, Y 1 represents any one of a carbonyl group and an arylene group, Y 2 represents any one of —O— and —NH—, n is 0 or 1, R 4 represents a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and X represents any one of a zwitterionic group and a cationic group).
    一种纳米复合材料包括纳米结构和吸附在纳米结构上的共聚物,该共聚物包含至少一个离子单体单元和一个不同于离子单体单元的单体单元;所述离子单体单元选自以下公式(1)表示的带电单体单元组中的具有两性离子单体单元和阳离子单体单元:(在公式(1)中,R1、R2和R3各自独立地表示氢原子和具有1到20个碳原子的一价有机基团,Y1表示羰基基团和芳基基团中的任意一种,Y2表示-O-和-NH-中的任意一种,n为0或1,R4表示具有1到20个碳原子的二价有机基团,X表示具有两性离子基团和阳离子基团中的任意一种)。
  • Poly(sulfobetaine methacrylate)s as Electrode Modifiers for Inverted Organic Electronics
    作者:Hyunbok Lee、Egle Puodziukynaite、Yue Zhang、John C. Stephenson、Lee J. Richter、Daniel A. Fischer、Dean M. DeLongchamp、Todd Emrick、Alejandro L. Briseno
    DOI:10.1021/ja512148d
    日期:2015.1.14
    We demonstrate the use of poly(sulfobetaine methacrylate) (PSBMA), and its pyrene-containing copolymer, as solution-processable work function reducers for inverted organic electronic devices. A notable feature of PSBMA is its orthogonal solubility relative to solvents typically employed in the processing of organic semiconductors. A strong permanent dipole moment on the sulfobetaine moiety was calculated by density functional theory. PSBMA interlayers reduced the work function of metals, graphene, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) by over 1 eV, and an ultrathin interlayer of PSBMA reduced the electron injection barrier between indium tin oxide (ITO) and C-70 by 0.67 eV. As a result, the performance of organic photovoltaic devices with PSBMA interlayers is significantly improved, and enhanced electron injection is demonstrated in electron-only devices with ITO, PEDOT:PSS, and graphene electrodes. This work makes available a new class of dipole-rich, counterion-free, pH insensitive polymer interlayers with demonstrated effectiveness in inverted devices.
  • Photophysical Characterization of Conformational Rearrangements for Amphiphilic 6-Arm Star Block Copolymers in Selective Solvent Mixtures
    作者:Mikyong Yoo、Andreas Heise、James L. Hedrick、Robert D. Miller、Curtis W. Frank
    DOI:10.1021/ma0213394
    日期:2003.1.1
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