1-[4-[2-[4,4-Bis(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]propan-2-yl]-1-(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]-4-prop-2-enoxybenzene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1-[4-[2-[4,4-Bis(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]propan-2-yl]-1-(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]-4-prop-2-enoxybenzene
• 英文别名: 1-[4-[2-[4,4-bis(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]propan-2-yl]-1-(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]-4-prop-2-enoxybenzene
• 化学式: C₅₁H₆₀O₄
• 分子量: 737.035
• InChiKey: XXYDHLHELGOKFW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  15.1
• 重原子数：
  55
• 可旋转键数：
  18
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.37
• 拓扑面积：
  36.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,2-bis[4,4-cyclohexylidenebis(4-hydroxyphenyl)]propane 、 3-溴丙烯 在 potassium carbonate 作用下， 以 二甲基亚砜 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 1-[4-[2-[4,4-Bis(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]propan-2-yl]-1-(4-prop-2-enoxyphenyl)cyclohexyl]-4-prop-2-enoxybenzene
  参考文献：
  名称：

  ALLYLOXY DERIVATIVE, RESIST UNDERLAYER FORMING COMPOSITION USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING RESIST UNDERLAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

  摘要：

  本发明提供了一种具有良好耐热性和填隙性的抗阻层形成组合物。此外，本发明还提供了使用该组合物制造抗阻层和半导体器件的方法。[解决方案手段] 包括具有特定基团的烯丙氧衍生物和溶剂的组合物，以及使用该组合物制造抗阻层和半导体器件的方法。

  公开号：

  US20210181636A1

文献信息

• Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same
  申请人：Merck Patent GmbH

  公开号：US11366389B2

  公开（公告）日：2022-06-21

  The present invention provides a resist underlayer forming composition, which is well in heat resistance and gap filling. Further, the present invention provides methods of manufacturing a resist underlayer and semiconductor device using it. [Means for Solution] A composition comprising a allyloxy derivative having a specific group and a solvent, and methods of manufacturing a resist underlayer and semiconductor device using it.

  本发明提供了一种具有良好热稳定性和填充性能的抗蚀剂底层组合物。此外，本发明还提供了使用该组合物制造抗蚀剂底层和半导体器件的方法。 【技术方案】本发明提供了一种包含特定基团的丙烯酰氧基衍生物和溶剂的组合物，以及使用该组合物制造抗蚀剂底层和半导体器件的方法。