5,5'''''''''''-diformyl-3''''',3''''''''',4'',4''''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''':5''''''''',2'''''''''':5'''''''''',2'''''''''''-dodecathiophene | 1393657-80-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 5,5'''''''''''-diformyl-3''''',3''''''''',4'',4''''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''':5''''''''',2'''''''''':5'''''''''',2'''''''''''-dodecathiophene
• CAS: 1393657-80-1
• 化学式: C₈₂H₉₀O₂S₁₂
• 分子量: 1492.41
• InChiKey: BJBZKDSIWQBLLN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  32.0
• 重原子数：
  96.0
• 可旋转键数：
  41.0
• 环数：
  12.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.39
• 拓扑面积：
  34.14
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  14.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5,5'''''''''''-diformyl-3''''',3''''''''',4'',4''''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''':5''''''''',2'''''''''':5'''''''''',2'''''''''''-dodecathiophene 在 sodium tetrahydroborate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.0h， 以81%的产率得到5,5'''''''''''-bis(hydroxymethyl)-3''''',3''''''''',4'',4''''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''''''':5'''''''',2'''''''''':5''''''''',2'''''''''':5'''''''''',2''''''''''-dodecathiophene
  参考文献：
  名称：

  Oligothiophenes incorporated in a polysilsesquioxane network: application to tunable transparent conductive films

  摘要：

  我们合成了含有长低聚噻吩（从八聚体到十二聚体）的新型聚硅烷基喹喔啉。聚合物薄膜的循环伏安法和吸收光谱显示，随着低聚噻吩单元长度的增加，氧化电位发生负移，吸收带发生红移。电荷载流子的电导率和迁移率随掺杂水平的变化而变化，其最大值也随低聚噻吩单元长度的增加而增加。聚合物薄膜的功函数可通过提高掺杂水平在 5.3 至 5.7 eV 之间进行调整。与单体薄膜的比较表明，聚合物网络的刚性对聚合物薄膜的机械、光谱、电化学和电学性能有很大影响。

  DOI：

  10.1039/c2jm32259e
• 作为产物：
  描述：

  5'-甲酰基-2,2'-联噻吩-5-硼酸(含不同量的酸酐) 、 5,5'''''''-dibromo-3,3''',3''''''',4''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2''''':5'''''',2'''''''-octithiophene 在 四(三苯基膦)钯 、 sodium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 14.5h， 以79%的产率得到5,5'''''''''''-diformyl-3''''',3''''''''',4'',4''''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''':5''''''''',2'''''''''':5'''''''''',2'''''''''''-dodecathiophene
  参考文献：
  名称：

  Oligothiophenes incorporated in a polysilsesquioxane network: application to tunable transparent conductive films

  摘要：

  我们合成了含有长低聚噻吩（从八聚体到十二聚体）的新型聚硅烷基喹喔啉。聚合物薄膜的循环伏安法和吸收光谱显示，随着低聚噻吩单元长度的增加，氧化电位发生负移，吸收带发生红移。电荷载流子的电导率和迁移率随掺杂水平的变化而变化，其最大值也随低聚噻吩单元长度的增加而增加。聚合物薄膜的功函数可通过提高掺杂水平在 5.3 至 5.7 eV 之间进行调整。与单体薄膜的比较表明，聚合物网络的刚性对聚合物薄膜的机械、光谱、电化学和电学性能有很大影响。

  DOI：

  10.1039/c2jm32259e