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5-(5-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl)thiophen-2-yl)thiophene-2-carbaldehyde | 1403231-27-5

中文名称
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中文别名
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英文名称
5-(5-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl)thiophen-2-yl)thiophene-2-carbaldehyde
英文别名
5-[5-[2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]ethyl]thiophen-2-yl]thiophene-2-carbaldehyde
5-(5-(2-(2-(2-methoxyethoxy)ethoxy)ethyl)thiophen-2-yl)thiophene-2-carbaldehyde化学式
CAS
1403231-27-5
化学式
C16H20O4S2
mdl
——
分子量
340.464
InChiKey
IBNBRSXDKYFTTL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.6
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    11
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.44
  • 拓扑面积:
    101
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

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文献信息

  • ホウ素チエニルジピロメテン型の蛍光化合物及びそれらの用途
    申请人:サントレ ナティオナル ド ラ ルシェルシェ シアンティフィク
    公开号:JP2015524800A
    公开(公告)日:2015-08-27
    本発明は、ホウ素化チエニルジピロメテン蛍光化合物、それらの調製プロセス、及びプラスチックエレクトロニクス分野における電子供与体としての、特にバルクヘテロ接合型光起電力セルの光活性層の製造又は電界効果トランジスタの製造のためのそれらの用途にも関する。
    本发明涉及基二吡咯烷蒙特光化合物,它们的制备过程,以及在塑料电子领域中作为电子给体,特别是用于制造体积异质结光电池的光活性层或电场效应晶体管的制造的应用。
  • Fluorescent compounds of the boron thienyldipyrromethene type, and their use
    申请人:CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
    公开号:US10566551B2
    公开(公告)日:2020-02-18
    The present invention concerns fluorescent boron thienyldipyrromethene type compounds, their preparation process, as well as their use as an electron donor in the field of organic electronics, in particular for the production of a photoactive layer in photovoltaic cells of the bulk heterojunction type or for the production of field effect transistors.
    本发明涉及荧光噻吩基二吡咯酮类化合物、其制备工艺以及在有机电子学领域作为电子供体的用途,特别是用于生产体异质结型光伏电池中的光活性层或用于生产场效应晶体管。
  • FLUORESCENT COMPOUNDS OF THE BORON THIENYLDIPYRROMETHENE TYPE, AND THEIR USE
    申请人:CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
    公开号:US20150171328A1
    公开(公告)日:2015-06-18
    The present invention concerns fluorescent boron thienyldipyrromethene type compounds, their preparation process, as well as their use as an electron donor in the field of organic electronics, in particular for the production of a photoactive layer in photovoltaic cells of the bulk heterojunction type or for the production of field effect transistors.
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