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bis(1,5-di-tert-butyl-1,2,5-triazapentadienyl)nickel(II) | 1420864-94-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis(1,5-di-tert-butyl-1,2,5-triazapentadienyl)nickel(II)
英文别名
——
bis(1,5-di-tert-butyl-1,2,5-triazapentadienyl)nickel(II)化学式
CAS
1420864-94-3
化学式
C20H40N6Ni
mdl
——
分子量
423.268
InChiKey
RGUOZMLSDSYKRA-SGWVQXGMSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    1,5-di-tert-butyl-1,2,5-triazapentadiene 在 potassium hydride 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 19.0h, 生成 bis(1,5-di-tert-butyl-1,2,5-triazapentadienyl)nickel(II)
    参考文献:
    名称:
    Volatility and High Thermal Stability in Mid-to-Late First-Row Transition-Metal Complexes Containing 1,2,5-Triazapentadienyl Ligands
    摘要:
    Treatment of first-row transition-metal MCl2 (M = Ni, Co, Fe, Mn, Cr) with 2 equiv of the potassium 1,2,5-triazapentadienyl salts K(tBuNNCHCHNR) (R = tBu, NMe2) afforded M(tBuNNCHCHNR)(2) in 18-73% isolated yields after sublimation. The X-ray crystal structures of these compounds show monomeric, tetrahedral molecular geometries, and magnetic moment measurements are consistent with high-spin electronic configurations. Complexes with R = tBu sublime between 155 and 175 degrees C at 0.05 Torr and have decomposition temperatures that range from 280 to 310 degrees C, whereas complexes with R = NMe2 sublime at 105 degrees C at 0.05 Torr but decompose between 181 and 225 degrees C. This work offers new nitrogen-rich ligands that are related to widely used beta-diketiminate and 1,3,5-triazapentadienyl ligands and demonstrates new complexes with properties suitable for use in atomic-layer deposition.
    DOI:
    10.1021/ic302787z
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文献信息

  • [EN] PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION<br/>[FR] PRÉCURSEURS POUR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
    申请人:UNIV WAYNE STATE
    公开号:WO2013188377A1
    公开(公告)日:2013-12-19
    Atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) precursors that are useful for forming metal-containing films are provided. These compounds include triazapentadienyl -imino enolate compounds and α-imino ketone compounds having formulae 1, 2, and 3, respectively. An ALD method using the precursors is also provided.
    提供了用于形成含属薄膜的原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)前体。这些化合物包括具有分别为1、2和3的公式的三氮杂戊二烯基-亚胺烯醇化合物和α-亚胺酮化合物。还提供了使用这些前体的ALD方法。
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