digermylsilane | 14809-05-3

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: digermylsilane
• CAS: 14809-05-3
• 化学式: Ge₂H₈Si
• 分子量: 181.329
• InChiKey: XQJPNWLEXNESGM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.28
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  digermylsilane 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 germanium-silicon
  参考文献：
  名称：

  通过沉积单源 (GeH3)4−nSiHn 氢化物合成 Si-Ge 纳米级结构

  摘要：

  通过单源氢化物 (H3Ge)2SiH2、(H3Ge) 的脱氢，在 Si(100) 上进行具有不同 Si0.33Ge0.67、Si0.25Ge0.75 和 Si0.20Ge0.80 成分和均匀尺寸的纳米级岛的生长)3SiH 和 (H3Ge)4Si。高空间分辨率电子能量损失光谱和拉曼光谱表明岛内和岛之间的元素浓度均匀，并确认它们的 Si-Ge 含量是由相应前体的化学计量预先确定的。Z 对比电子显微镜显示出独特且完美的外延岛，具有原子锐利的界面，通过平滑且连续的润湿层约 10A 厚生长。横截面电子显微镜显示具有无缺陷微结构的岛的单峰分布。薄膜形成的低能电子显微镜研究表明，生长是通过 Stranski-Krastanov 模式进行的。由这种方法产生的具有高度受控的富锗浓度的相干量子点组件...

  DOI：

  10.1063/1.2011792
• 作为产物：
  描述：

  germylpotassium 、 bis(trifluoromethanesulfonyloxy)silane 以 further solvent(s) 为溶剂， 以15%的产率得到digermylsilane
  参考文献：
  名称：

  (H3Ge)xSiH4-x 分子的合成和基础研究：Si 上半导体异质和纳米结构的前体

  摘要：

  已证明分子 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) (x = 1-4) 的整个 silyl-germyl 序列的合成。这些包括以前未知的 (H(3)Ge)(2)SiH(2)、(H(3)Ge)(3)SiH 和 (H(3)Ge)(4)Si 物种以及 H (3) GeSiH(3) 类似物，它以实际高纯度产率获得，作为半导体应用中乙硅烷和二锗烷的可行替代品。这些分子的特征在于 FTIR、多核 NMR、质谱和卢瑟福背向散射。使用密度泛函理论研究结构、热化学和振动特性。实验和理论数据的详细比较用于证实特定分子结构的合成。此处描述的 (H(3)Ge)(x)SiH(4)(-)(x) 化合物家族不仅具有内在的分子意义，而且还提供了一种独特的途径，用于开发一类新的硅基半导体，包括外延层和相干岛（量子点），富含 Ge 的化学计量比 SiGe、SiGe(2)、SiGe(3) 和 SiGe(4) 反映了相应前驱体的

  DOI：

  10.1021/ja051411o

文献信息

• Compliant tin-based buffers for the growth of defect-free strained heterostructures on silicon
  作者：John Tolle、Radek Roucka、Andrew V. G. Chizmeshya、John Kouvetakis、Vijay R. D’Costa、José Menéndez

  DOI：10.1063/1.2213014

  日期：2006.6.19

  We describe the compliant behavior of Ge1−ySny buffer layers grown strain-free on Si(100). Deposition of lattice-mismatched epilayers on these buffers introduces significant strains in both systems. Ge1−x−y′SixSny′ and Ge1−xSix alloys are deposited on these buffers via reactions of designer hydrides to quantify these strains in detail. X-ray analysis reveals that Ge1−x−y′SixSny′∕Ge1−ySny and Ge1−xSix∕Ge1−ySny

  我们描述了在 Si(100) 上无应变生长的 Ge1-ySny 缓冲层的柔顺行为。在这些缓冲液上沉积晶格不匹配的外延层会在两个系统中引入显着的应变。Ge1-x-y'SixSny' 和 Ge1-xSix 合金通过设计氢化物的反应沉积在这些缓冲液上，以详细量化这些应变。X 射线分析表明 Ge1-x-y'SixSny'∕Ge1-ySny 和 Ge1-xSix∕Ge1-ySny 双层采用应变状态，使它们的组合弹性能最小化，就好像薄膜与基板分离一样。因此，兼容的 Ge1-ySny 缓冲器能够在 Si 上生长高度不匹配的富锗半导体，从而促进微电子和光电功能的片上集成。
• Low-temperature pathways to Ge-rich Si1−xGex alloys via single-source hydride chemistry
  作者：C.-W. Hu、J. Menéndez、I. S. T. Tsong、J. Tolle、A. V. G. Chizmeshya、Cole Ritter、J. Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.2117620

  日期：2005.10.31

  We report rapid low-temperature (300–470°C) growth of Si0.50Ge0.50, Si0.33Ge0.67, Si0.25Ge0.75, and Si0.20Ge0.80 alloys on Si(100) using heavy single-source hydride molecular compounds (H3Ge)nSiH4−n (n=1–4). Incorporation of the entire SiGe, SiGe2, SiGe3, and SiGe4 framework of these precursors into the film provides precise control of morphology, composition, and strain. Low-energy electron microscopy

  我们报告了 Si0.50Ge0.50、Si0.33Ge0.67、Si0.25Ge0.75 和 Si0.20Ge0.80 合金在 Si(100) 上使用重单源快速低温 (300–470°C) 生长氢化物分子化合物 (H3Ge)nSiH4−n (n=1–4)。将这些前体的整个 SiGe、SiGe2、SiGe3 和 SiGe4 框架结合到薄膜中，可以精确控制形态、成分和应变。低能电子显微镜分析表明 (H3Ge)xSiH4−x (x=2-4) 物种具有高反应性，尽管其分子结构中存在强 Si-H 键，但 H2 解吸特性与 Ge2H6 相当.