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4-phenyl-2,3,5,6-tetrafluorobenzene formic acid | 53987-59-0

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-phenyl-2,3,5,6-tetrafluorobenzene formic acid
英文别名
2,3,5,6-tetrafluorobiphenyl-4-carboxylic acid;2,3,5,6-Tetrafluorbiphenyl-4-carbonsaeure;2,3,5,6-tetrafluoro-4-phenylbenzoic acid
4-phenyl-2,3,5,6-tetrafluorobenzene formic acid化学式
CAS
53987-59-0
化学式
C13H6F4O2
mdl
——
分子量
270.183
InChiKey
MVFMACFGAIIUBH-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.5
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    37.3
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    6

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4-phenyl-2,3,5,6-tetrafluorobenzene formic acid 在 potassium fluoride 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 生成 2,3,5,6-四氟-1,1'-联苯
    参考文献:
    名称:
    Gerasimova,T.N. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1974, vol. 10, p. 2181 - 2185
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    methyl 2,3,5,6-tetrafluoro-[1,1'-biphenyl]-4-carboxylate 在 potassium hydroxide 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 生成 4-phenyl-2,3,5,6-tetrafluorobenzene formic acid
    参考文献:
    名称:
    多氟苯甲酸锌 (II) 与芳基溴和九氟甲磺酸酯的温和脱羧交叉偶联:获得多氟联芳基化合物
    摘要:
    我们开发了一种钯催化的多氟苯甲酸锌脱羧交叉偶联方法,用作原位生产锌试剂的前体,与芳基溴和九氟磺酸盐发生反应,为多氟联芳基化合物的合成提供了一条温和有效的途径。该协议具有广泛的底物范围和出色的功能耐受性。此外,药物、生物活性分子和农药的直接后期修饰证明了这种方法的多功能性,表明其在药物发现中的潜在意义。
    DOI:
    10.1021/acs.orglett.3c03730
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文献信息

  • ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200223796A1
    公开(公告)日:2020-07-16
    A novel onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by photolithography using KrF or ArF excimer laser, EB or EUV, the resist composition has a high sensitivity and reduced acid diffusion and is improved in exposure latitude, MEF, and LWR.
    提供了一种化学增感剂组合物,其中包括式(1)的新型离子盐作为PAG。当使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV进行光刻工艺处理时,该抗蚀组合物具有高灵敏度、减少酸扩散,并在曝光宽度、MEF和LWR方面得到改善。
  • ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200369605A1
    公开(公告)日:2020-11-26
    An onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by lithography, the resist composition exhibits a high sensitivity, minimal LWR and improved CDU independent of whether it is of positive or negative tone.
    提供一种化学式为(1)的铵盐和包括该铵盐作为PAG的化学增感抗蚀组合物。通过光刻加工时,该抗蚀组合物表现出高灵敏度,最小LWR和改善的CDU,无论其为正像还是负像。
  • NOVEL SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200159115A1
    公开(公告)日:2020-05-21
    A novel salt having an amide bond in its anion structure is provided. A chemically amplified resist composition comprising the salt has advantages including minimal defects and improved values of sensitivity, LWR, MEF and CDU, when processed by lithography using high-energy radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.
    提供了一种其阴离子结构中具有酰胺键的新型盐。包含该盐的化学放大型光刻胶组合物具有许多优点,包括在使用高能辐射(如KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束或EUV)进行光刻加工时,缺陷最小、灵敏度、LWR、MEF和CDU值得到改善。
  • MONOMER, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20170008982A1
    公开(公告)日:2017-01-12
    A polymer comprising recurring units derived from a polymerizable monomer having two structures of hydroxyphenyl methacrylate having a hydroxy group substituted with an acid labile group is used as base resin in a positive resist composition, especially chemically amplified positive resist composition. The resist composition forms a resist film which is processed by lithography into a pattern of good profile having a high resolution, minimal edge roughness, and etch resistance.
    一种聚合物,包含由可聚合单体衍生的重复单元,该单体具有两种羟基苯甲酸甲酯结构,羟基上取代有酸不稳定基团,作为正性光刻胶组成中的基础树脂,尤其是化学放大正性光刻胶组成中。该光刻胶组成形成一种光刻胶膜,通过光刻技术加工成具有高分辨率、最小边缘粗糙度和蚀刻抗性的良好轮廓图案。
  • SULFONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20220107560A1
    公开(公告)日:2022-04-07
    A sulfonium salt having formula (1) is novel. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt as a PAG has advantages including solvent solubility and improved lithography properties such as EL and LWR when processed by photolithography using high-energy radiation such as KrF or ArF excimer laser, EB or EUV.
    一种具有式(1)的硫铵盐是新颖的。包含该硫铵盐作为PAG的化学增感抗蚀剂组成物具有溶剂溶解性和改善的光刻特性,例如EL和LWR,当使用高能辐射进行光刻,如KrF或ArF准分子激光、EB或EUV。
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