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1-[(4-Ethenylphenoxy)methyl]naphthalene | 1246537-31-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
1-[(4-Ethenylphenoxy)methyl]naphthalene
英文别名
——
1-[(4-Ethenylphenoxy)methyl]naphthalene化学式
CAS
1246537-31-4
化学式
C19H16O
mdl
——
分子量
260.335
InChiKey
ZRNQMNWSWIMCFS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.5
  • 重原子数:
    20
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.05
  • 拓扑面积:
    9.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    Synthesis and characterization of low-molecular-weight azo-acetoxystyrene and azo-naphthalene oligomers via stable free radical polymerization (SFRP)
    摘要:
    作为通过稳定自由基聚合(SFRP)控制分子结构的一种方法,我们制备了一系列分子量(Mn)可控、多分散性低的低聚物(结构 2 和 3,n 值范围为 2 到 52)。通过 MALDI/MS(偶氮乙酰氧基苯乙烯低聚物 2 的峰间间隔为 162 m/z,偶氮萘低聚物 3 的峰间间隔为 260 m/z,对应于乙酰氧基苯乙烯(AS)和萘(Np)重复单元)获得了结构的确凿证据,核磁共振和 GPC 也提供了佐证。我们探索了两种合成途径。途径 1 通过将 TEMPO 封端的单体 1 与乙酰氧基苯乙烯进行 SFR 加成,生成偶氮乙酰氧基苯乙烯低聚物 2。在另一种途径 2 中,将 1 与 4-(1-甲氧基萘基)苯乙烯进行 SFR 加成,可直接得到偶氮萘低聚物 3。因此,本报告所述的受控结构方法实现了从低 Mn(氯苯、PhCl 溶剂)到相对高 Mn(块状)低聚物的合成,并以受控方式加入了萘基(供体)和偶氮苯基(受体)分子以及间隔分子。
    DOI:
    10.1139/v10-072
  • 作为产物:
    描述:
    4-羟基苯乙烯(氯甲基)萘18-冠醚-6 作用下, 以 丙酮 为溶剂, 反应 36.0h, 以75%的产率得到1-[(4-Ethenylphenoxy)methyl]naphthalene
    参考文献:
    名称:
    Synthesis and characterization of low-molecular-weight azo-acetoxystyrene and azo-naphthalene oligomers via stable free radical polymerization (SFRP)
    摘要:
    作为通过稳定自由基聚合(SFRP)控制分子结构的一种方法,我们制备了一系列分子量(Mn)可控、多分散性低的低聚物(结构 2 和 3,n 值范围为 2 到 52)。通过 MALDI/MS(偶氮乙酰氧基苯乙烯低聚物 2 的峰间间隔为 162 m/z,偶氮萘低聚物 3 的峰间间隔为 260 m/z,对应于乙酰氧基苯乙烯(AS)和萘(Np)重复单元)获得了结构的确凿证据,核磁共振和 GPC 也提供了佐证。我们探索了两种合成途径。途径 1 通过将 TEMPO 封端的单体 1 与乙酰氧基苯乙烯进行 SFR 加成,生成偶氮乙酰氧基苯乙烯低聚物 2。在另一种途径 2 中,将 1 与 4-(1-甲氧基萘基)苯乙烯进行 SFR 加成,可直接得到偶氮萘低聚物 3。因此,本报告所述的受控结构方法实现了从低 Mn(氯苯、PhCl 溶剂)到相对高 Mn(块状)低聚物的合成,并以受控方式加入了萘基(供体)和偶氮苯基(受体)分子以及间隔分子。
    DOI:
    10.1139/v10-072
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文献信息

  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD
    申请人:Inasaki Takeshi
    公开号:US20120301817A1
    公开(公告)日:2012-11-29
    An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (P) a resin having a repeating unit represented by the following formula (1), a resist film using the composition, and a pattern forming method.
    一种感光树脂组合物,其包括(P)一种具有以下式(1)所表示的重复单元的树脂,使用该组合物的光阻膜以及一种图案形成方法。
  • ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION
    申请人:INASAKI Takeshi
    公开号:US20130029255A1
    公开(公告)日:2013-01-31
    Provided is an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition containing a compound (A) which contains at least one phenolic hydroxyl group and at least one group where a hydrogen atom in a phenolic hydroxyl group is substituted by a group represented by the following General Formula (1). (in the formula, each of R 11 and R 12 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group; X 11 represents an aryl group; M 11 represents a single bond or a divalent linking group; and Q 11 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, wherein the number of carbon atoms which are included in the group represented by -M 11 -Q 11 is 3 or more, and at least two of R 11 , R 12 , Q 11 , and X 11 may form a ring by bonding to each other)
    提供的是一种感光树脂组合物,其中包含至少含有一个酚羟基和至少一个氢原子被以下通式(1)所代表的基替换的基团的化合物(A)。(在通式中,R11和R12分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或芳基烷基;X11表示芳基;M11表示单键或二价连接基团;Q11表示烷基、环烷基或芳基,其中包含在-M11-Q11所代表的基团中的碳原子数为3或更多,并且R11、R12、Q11和X11中至少有两个可以通过相互键合形成环)
  • ACTINIC-RAY- OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE FILM THEREFROM AND METHOD OF FORMING PATTERN
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:US20140099572A1
    公开(公告)日:2014-04-10
    According to one embodiment, an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition includes a compound (P) containing at least one phenolic hydroxyl group and at least one group with a phenolic hydroxyl group whose hydrogen atom is replaced by any of groups of general formula (1) below.
    根据一种实施例,一种光致射线或辐射敏感的树脂组合物包括化合物(P),该化合物含有至少一个酚羟基和至少一个含有酚羟基的基团,该基团的氢原子被下列通式(1)的任何基团所替换。
  • POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK AND RESIST PATTERN FORMING METHOD EACH USING THE COMPOSITION
    申请人:FUJIFILM Corporation
    公开号:EP2707776B1
    公开(公告)日:2017-07-19
  • ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE FILM THEREFROM AND METHOD OF FORMING PATTERN
    申请人:Fujifilm Corporation
    公开号:EP2721446A1
    公开(公告)日:2014-04-23
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