2,5''-bis(1-hexynyl)terthiophene | 277301-64-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 2,5''-bis(1-hexynyl)terthiophene
• 英文别名: 2,5-Bis(5-hex-1-ynylthiophen-2-yl)thiophene；2,5-bis(5-hex-1-ynylthiophen-2-yl)thiophene
• CAS: 277301-64-1
• 化学式: C₂₄H₂₄S₃
• 分子量: 408.653
• InChiKey: OYKSAJLPWKXHQR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  84.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  dicobalt octacarbonyl 、 2,5''-bis(1-hexynyl)terthiophene 以 四氢呋喃 为溶剂， 以88%的产率得到2,5''-bis[Co2(CO)6(μ-η2:η2-C(C4H9)C)]terthiophene
  参考文献：
  名称：

  合成和α的物理性质，ω -双[CO 2（CO）6 {μ-η 2：η 2 -C（R）C}]的低聚噻吩

  摘要：

  α，ω二[CO 2（CO）6 {μ-η 2：η 2 -C（R）C}]低聚噻吩衍生物（6 - 10），其中，两个二钴六羰基乙炔化物是π共轭到两个端子低聚噻吩的，是由α的反应制得，ω -双（炔基）的低聚噻吩（1 - 5）用Co 2（CO）8。通过光谱方法和元素分析鉴定了新化合物的分子结构。在所述簇的循环伏安法6 - 10，两个基于低聚噻吩-氧化过程（一个用于7）发生-0.2和V之间1.5，0.0和-1.6伏，这是不存在的低聚噻吩（之间发生金属簇部分的一个还原过程1 - 5）。簇的预期电子通信的沉默6 - 10可以归因于还原过程，随后在环境温度下快速化学反应。簇6 - 10通常表现出三个特征波段：适度紧张，高能带，强中等能带和弱低能量带。高能带归因于π–π *局部激发。中能带和低能带可以归因于金属配体（d Co –π *配体）簇部分的电荷转移跃迁。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)00003-6
• 作为产物：
  描述：

  2,5-二(5-溴噻吩-2-基)噻吩 、 1-己炔 在 Pd(dpff)Cl₂ copper(l) iodide 、 二异丙胺 作用下， 反应 12.0h， 以73%的产率得到2,5''-bis(1-hexynyl)terthiophene
  参考文献：
  名称：

  合成和α的物理性质，ω -双[CO 2（CO）6 {μ-η 2：η 2 -C（R）C}]的低聚噻吩

  摘要：

  α，ω二[CO 2（CO）6 {μ-η 2：η 2 -C（R）C}]低聚噻吩衍生物（6 - 10），其中，两个二钴六羰基乙炔化物是π共轭到两个端子低聚噻吩的，是由α的反应制得，ω -双（炔基）的低聚噻吩（1 - 5）用Co 2（CO）8。通过光谱方法和元素分析鉴定了新化合物的分子结构。在所述簇的循环伏安法6 - 10，两个基于低聚噻吩-氧化过程（一个用于7）发生-0.2和V之间1.5，0.0和-1.6伏，这是不存在的低聚噻吩（之间发生金属簇部分的一个还原过程1 - 5）。簇的预期电子通信的沉默6 - 10可以归因于还原过程，随后在环境温度下快速化学反应。簇6 - 10通常表现出三个特征波段：适度紧张，高能带，强中等能带和弱低能量带。高能带归因于π–π *局部激发。中能带和低能带可以归因于金属配体（d Co –π *配体）簇部分的电荷转移跃迁。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)00003-6

文献信息

• Synthesis and physical properties of α,ω-bis[Co2(CO)6{μ-η2:η2-C(R)C}]oligothiophenes
  作者：Taeg Sung Jung、Joo Hwan Kim、Eun Kyung Jang、Dong Hyun Kim、Yoon-Bo Shim、Bongjin Park、Sung Chul Shin

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)00003-6

  日期：2000.4

  α,ω-Bis[Co2(CO)6μ-η2:η2-C(R)C}]oligothiophene derivatives (6–10), in which two dicobalt hexacarbonyl acetylides are π-conjugated onto both terminals of the oligothiophene, were prepared by the reaction of the α,ω-bis(alkynyl)oligothiophenes (1–5) with Co2(CO)8. The molecular structures of new compounds were identified by spectroscopic methods and elemental analysis. In cyclic voltammetry of the clusters

  α，ω二[CO 2（CO）6 μ-η 2：η 2 -C（R）C}]低聚噻吩衍生物（6 - 10），其中，两个二钴六羰基乙炔化物是π共轭到两个端子低聚噻吩的，是由α的反应制得，ω -双（炔基）的低聚噻吩（1 - 5）用Co 2（CO）8。通过光谱方法和元素分析鉴定了新化合物的分子结构。在所述簇的循环伏安法6 - 10，两个基于低聚噻吩-氧化过程（一个用于7）发生-0.2和V之间1.5，0.0和-1.6伏，这是不存在的低聚噻吩（之间发生金属簇部分的一个还原过程1 - 5）。簇的预期电子通信的沉默6 - 10可以归因于还原过程，随后在环境温度下快速化学反应。簇6 - 10通常表现出三个特征波段：适度紧张，高能带，强中等能带和弱低能量带。高能带归因于π–π *局部激发。中能带和低能带可以归因于金属配体（d Co –π *配体）簇部分的电荷转移跃迁。