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bis[4-(tert-butoxycarbonyloxy)phenyl]sulfone | 129104-70-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
bis[4-(tert-butoxycarbonyloxy)phenyl]sulfone
英文别名
Tert-butyl [4-[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonyloxy]phenyl]sulfonylphenyl] carbonate
bis[4-(tert-butoxycarbonyloxy)phenyl]sulfone化学式
CAS
129104-70-7
化学式
C22H26O8S
mdl
——
分子量
450.51
InChiKey
BYOHIQHMSWKBJL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5
  • 重原子数:
    31
  • 可旋转键数:
    10
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.36
  • 拓扑面积:
    114
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Optically active compound and photosensitive resin composition
    摘要:
    一种光活性化合物与光敏剂结合使用,由以下公式(1)表示: A −[( J ) m −( X-Pro )] n (1) 其中,A代表至少包括一种从烃基和杂环基中选择的疏水基的疏水单元,J代表连接基团,X-Pro代表由光照可去除的保护基团Pro保护的亲水基团,m代表0或1,n代表不少于1的整数。 保护基团Pro可以与光敏剂(特别是光酸发生剂)一起通过光照可去除,也可以是疏水保护基团。亲水基团可以是羟基或羧基。光活性化合物对短波长光源具有很高的敏感性,用于光刻应用,因此,该光活性化合物有利于形成具有高分辨率的图案。
    公开号:
    US20030211421A1
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文献信息

  • Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
    申请人:——
    公开号:US20040167322A1
    公开(公告)日:2004-08-26
    A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.
    一种化学放大型抗蚀组合物,包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷,具有许多优点,包括提高分辨率,改善焦点宽度,即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化,涂层、显影和剥离后减少残留物,并在显影后改善图案轮廓,因此适用于微加工。
  • Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
    申请人:Ohsawa Youichi
    公开号:US20070292768A1
    公开(公告)日:2007-12-20
    A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.
    一种光酸发生剂的化学式为(1)。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时,可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
  • NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Ohsawa Youichi
    公开号:US20090246694A1
    公开(公告)日:2009-10-01
    Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.
    光酸发生剂在高能辐射作用下生成式(1a)的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基,R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容,可以控制酸的扩散,因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
  • NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:OHASHI Masaki
    公开号:US20090061358A1
    公开(公告)日:2009-03-05
    Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.
    光酸发生剂在高能辐射作用下生成式(1a)或(1c)的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容,可以控制酸的扩散,因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
  • Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
    申请人:Ohsawa Youichi
    公开号:US20080085469A1
    公开(公告)日:2008-04-10
    Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.
    光酸发生剂在高能辐射作用下生成式(1a)的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中,R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基,R1为可能含有杂原子(O、N或S)取代基的二价有机基团,或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容,可以控制酸的扩散,因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。
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