N-decyl-5,5'-bis(5-bromo-3-decylthiophen-2-yl)-2,2'-bithiophene-3,3'-dicarboximide | 1263426-22-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: N-decyl-5,5'-bis(5-bromo-3-decylthiophen-2-yl)-2,2'-bithiophene-3,3'-dicarboximide
• 英文别名: 4,12-Bis(5-bromo-3-decylthiophen-2-yl)-8-decyl-3,13-dithia-8-azatricyclo[8.3.0.02,6]trideca-1(10),2(6),4,11-tetraene-7,9-dione；4,12-bis(5-bromo-3-decylthiophen-2-yl)-8-decyl-3,13-dithia-8-azatricyclo[8.3.0.02,6]trideca-1(10),2(6),4,11-tetraene-7,9-dione
• CAS: 1263426-22-7
• 化学式: C₄₈H₆₇Br₂NO₂S₄
• 分子量: 978.137
• InChiKey: UKRWKRWCHDZLFI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  21.5
• 重原子数：
  57
• 可旋转键数：
  29
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  150
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  Decylmagnesium bromide 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 正丁基锂 、 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 、 溴 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正己烷 、 氯仿 、 溶剂黄146 为溶剂， 反应 19.5h， 生成 N-decyl-5,5'-bis(5-bromo-3-decylthiophen-2-yl)-2,2'-bithiophene-3,3'-dicarboximide
  参考文献：
  名称：

  用于场效应晶体管的基于联噻吩酰亚胺的聚合物半导体：合成、结构-性质相关性、载流子极性和器件稳定性

  摘要：

  开发具有良好加工性和优异器件环境稳定性的新型高迁移率聚合物半导体对于有机电子产品至关重要。我们报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的一系列新的基于联噻吩酰亚胺 (BTI) 的聚合物的合成、表征、操纵电荷载流子极性和器件空气稳定性。通过增加供体共聚单体单元的共轭长度，从单噻吩 (P1) 到联噻吩 (P2) 再到四噻吩 (P3)，电子传输能力降低，而空穴传输能力增加。与电子迁移率为 10(-2) cm(2) V(-1) s(-1) 的 BTI 均聚物 P(BTimR) 相比，共聚物 P1 是双极性的，空穴和电子迁移率为 ~10(-4 ) 厘米(2) V(-1) s(-1), 而 P2 和 P3 的空穴迁移率分别为~10(-3) 和~10(-2) cm(2) V(-1) s(-1)。还研究了 P(BTimR) 均聚物 M(n) 对薄膜形态和器件性能的影响。高 M(n) 批次 P(BTimR)-H

  DOI：

  10.1021/ja107678m

文献信息

• Bithiophene-Imide-Based Polymeric Semiconductors for Field-Effect Transistors: Synthesis, Structure−Property Correlations, Charge Carrier Polarity, and Device Stability
  作者：Xugang Guo、Rocio Ponce Ortiz、Yan Zheng、Yan Hu、Yong-Young Noh、Kang-Jun Baeg、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja107678m

  日期：2011.2.9

  slightly lower than that of state-of-the-art n-type polymer semiconductors. However, the high-lying P(BTimR)-H LUMO results in minimal electron transport on exposure to ambient. Copolymer P3 exhibits a hole mobility approaching 0.1 cm(2) V(-1) s(-1) in top-gate OFETs, comparable to or slightly lower than current state-of-the-art p-type polymer semiconductors (0.1-0.6 cm(2) V(-1) s(-1)). Although BTI building

  开发具有良好加工性和优异器件环境稳定性的新型高迁移率聚合物半导体对于有机电子产品至关重要。我们报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的一系列新的基于联噻吩酰亚胺 (BTI) 的聚合物的合成、表征、操纵电荷载流子极性和器件空气稳定性。通过增加供体共聚单体单元的共轭长度，从单噻吩 (P1) 到联噻吩 (P2) 再到四噻吩 (P3)，电子传输能力降低，而空穴传输能力增加。与电子迁移率为 10(-2) cm(2) V(-1) s(-1) 的 BTI 均聚物 P(BTimR) 相比，共聚物 P1 是双极性的，空穴和电子迁移率为 ~10(-4 ) 厘米(2) V(-1) s(-1), 而 P2 和 P3 的空穴迁移率分别为~10(-3) 和~10(-2) cm(2) V(-1) s(-1)。还研究了 P(BTimR) 均聚物 M(n) 对薄膜形态和器件性能的影响。高 M(n) 批次 P(BTimR)-H