(4-benzenesulfonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; bromide | 107822-70-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: (4-benzenesulfonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; bromide
• 英文别名: (4-Benzolsulfonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; Bromid；Triphenyl-<4-benzolsulfonyl-benzyl>-phosphoniumbromid
• CAS: 107822-70-8
• 化学式: Br*C₃₁H₂₆O₂PS
• 分子量: 573.49
• InChiKey: QATMLPJPHYKCIM-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.02
• 重原子数：
  36.0
• 可旋转键数：
  7.0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.03
• 拓扑面积：
  34.14
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  联苯-2-甲醛 、 (4-benzenesulfonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; bromide 在 sodium ethanolate 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 生成 trans-2-Phenyl-4'-benzolsulfonyl-stilben
  参考文献：
  名称：

  Simalty-Siemiatycki,M. et al., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1962, p. 129 - 131

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  苯基对甲苯磺酸 在 溴 作用下， 生成 (4-benzenesulfonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; bromide
  参考文献：
  名称：

  Characteristics of copper films produced via atomic layer deposition

  摘要：

  研究人员对利用原子层沉积（ALD）技术生产的铜薄膜的特性进行了表征。研究人员考察了生长在玻璃上的这些薄膜以及生长在硅晶片上的 Ta、TiN 和 TaN 薄膜的成分、形态和电气特性。厚度大于 60 nm 的薄膜的电阻率接近块体值。薄膜的沉积采用两步 ALD 工艺，第一步引入铜（II）-1,1,1,5,5,5,-六氟乙酰丙酮水合物和水蒸气，第二步引入还原剂。对五种还原剂进行了评估，其中使用异丙醇或福尔马林的效果最好。异丙醇的最佳沉积温度约为 260 ℃，而福尔马林的最佳沉积温度约为 300 ℃。研究人员还将这些薄膜作为种子层，用于电沉积更厚的铜层，以实现可能的互连应用。结果表明，这些薄膜在高纵横比沟槽中的填充效果极佳。

  DOI：

  10.1557/jmr.2002.0350