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[5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II) | 1426657-55-7

中文名称
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中文别名
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英文名称
[5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II)
英文别名
[5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc (II)
[5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II)化学式
CAS
1426657-55-7
化学式
C44H42Br2N4Zn
mdl
——
分子量
852.042
InChiKey
VXNQIINPGREZSP-IBSAJEPBSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-ethynyl-5-hexylthiophene[5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II) 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide三乙胺 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 48.0h, 以51%的产率得到[5,15-bis(4-(5-hexylthiophene-2-yl)ethynyl)-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II)
    参考文献:
    名称:
    An Unsymmetrically π-Extended Porphyrin-Based Single-Crystal Field-Effect Transistor and Its Anisotropic Carrier-Transport Behavior
    摘要:
    Anisotropic charge transport: Single-crystal organic field-effect transistor devices derived from aggregates of thiophene-appended porphyrins display very high mobility (0.27 cm(2) V(-1) s(-1)). This behavior is due to staircase stacking of the porphyrins with distances between layers of 3.17(7) Å. Furthermore, the charge-transport behavior is anisotropic owing to an anisotropic molecular arrangement in the single-crystal microplates.
    DOI:
    10.1002/chem.201202894
  • 作为产物:
    描述:
    10,20-bis(4-hexylphenyl)porphyrin 在 吡啶N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 甲醇二氯甲烷氯仿 为溶剂, 生成 [5,15-dibromo-10,20-di(4-hexylphenyl)porphyrinato]zinc(II)
    参考文献:
    名称:
    Dramatic enhancement of carrier mobility via effective secondary structural arrangement resulting from the substituents in a porphyrin transistor
    摘要:
    基于两种不同卟啉衍生物单晶的有机场效应晶体管(OFET)器件显示出2.57和0.48 cm² V⁻¹ s⁻¹的优异迁移率。尽管它们产生了相似的J聚集体,但使用卟啉1所获得的迁移率显著提升是由于卟啉环上的取代基引起的良好限制的二级结构排列。
    DOI:
    10.1039/c3cc41735b
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