(2-Phenyl-ethyl)-barbitursaeure | 46804-28-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二嗪类
• 英文名称: (2-Phenyl-ethyl)-barbitursaeure
• 英文别名: 5-Phenethyl-barbitursaeure；5-phenethyl-pyrimidine-2,4,6-trione；5-phenethyl-barbituric acid；5-Phenaethyl-barbitursaeure；5-(2-phenylethyl) barbituric acid；5-(2-phenylethyl)-1,3-diazinane-2,4,6-trione
• CAS: 46804-28-8
• 化学式: C₁₂H₁₂N₂O₃
• 分子量: 232.239
• InChiKey: XICPRTQGMNZJLE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.1
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  75.3
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-氯喹唑啉 、 (2-Phenyl-ethyl)-barbitursaeure 以to form the 5-(2-phenylethyl)-5-(4-quinazolyl) barbituric acid的产率得到5-(2-phenylethyl)-5-(4-quinazolyl) barbituric acid
  参考文献：
  名称：

  Quinazoline derivatives

  摘要：

  化学式为(1)的取代喹唑啉：##STR1## 其中：R.sup.1至R.sup.4独立地为H，卤素，(C.sub.1-C.sub.4)烷基，分支(C.sub.3-C.sub.4)烷基，卤素(C.sub.1-C.sub.4)烷基，(C.sub.1-C.sub.4)烷氧基，NO.sub.2或NH.sub.2，但至少有两个R.sup.1至R.sup.4为H；Y为H，Cl，X-W-Ar或O-Alk；X为O，NR.sup.7或CR.sup.8R.sup.9；Z为H，Cl，OCH.sub.3，CH.sub.3或--NR.sup.7--W--Ar，但仅当Y为H，Cl或NR.sup.7--W--Ar时，Z可以是--NR.sup.7--W--Ar，如果Y为H或Cl，则Z必须为--NR.sup.7--W--Ar。这些化合物是植物杀菌剂，杀螨剂和杀虫剂。

  公开号：

  US05411963A1
• 作为产物：
  描述：

  5-hydroxy-5-phenacyl-barbituric acid 在 盐酸 、 锌 作用下， 生成 (2-Phenyl-ethyl)-barbitursaeure
  参考文献：
  名称：

  Aspelund et al., Acta Academiae Aboensis, Series B: Mathematica et Physica, 1956, vol. 20, # 8, p. 10

  摘要：

  DOI：

文献信息

• ANTIREFLECTION FILM FOR SEMICONDUCTOR CONTAINING CONDENSATION TYPE POLYMER
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP1757986A1

  公开（公告）日：2007-02-28

  There is provided an anti-reflective coating forming composition comprising a polymer having a pyrimidinetrione structure, imidazolidinedione structure, imidazolidinetrione structure or triazinetrione structure and a solvent. The anti-reflective coating obtained from the composition has a high preventive effect for reflected light, causes no intermixing with photoresists, and can use in lithography process by use of a light having a short wavelength such as ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm) or F2 excimer laser beam (wavelength 157 nm), etc.

  本发明提供了一种抗反射涂层成型组合物，该组合物由具有嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构、咪唑烷三酮结构或三嗪三酮结构的聚合物和溶剂组成。由该组合物制得的防反射涂层对反射光有很好的防止效果，不会与光刻胶混合，并可在光刻工艺中使用 ArF 准分子激光束（波长 193 nm）或 F2 准分子激光束（波长 157 nm）等短波长光。
• SULFONIC-ESTER-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMATION OF ANTIREFLECTION FILM FOR LITHOGRAPHY
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP1813987A1

  公开（公告）日：2007-08-01

  There is provided an anti-reflective coating forming composition for lithography comprising a polymer compound, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst, a sulfonate compound and a solvent. The anti-reflective coating obtained from the composition has a high preventive effect for reflected light, causes no intermixing with photoresists, has a higher dry etching rate compared with photoresists, can form a photoresist pattern having no footing at the lower part, and can use in lithography process by use of a light such as ArF excimer laser beam and F2 excimer laser beam, etc.

  本发明提供了一种用于光刻的抗反射涂层形成组合物，该组合物由聚合物化合物、交联化合物、交联催化剂、磺酸盐化合物和溶剂组成。由该组合物制得的抗反射涂层对反射光有很好的防止效果，不会与光刻胶混合，与光刻胶相比具有更高的干蚀刻率，可以形成下部无基底的光刻胶图案，并可在光刻工艺中使用 ArF 准分子激光束和 F2 准分子激光束等光源。
• Dox, Journal of the American Chemical Society, 1924, vol. 46, p. 2845
  作者：Dox

  DOI：——

  日期：——
• Quinazoline derivatives useful as insecticides.
  申请人：Dow AgroSciences LLC

  公开号：EP0326329B1

  公开（公告）日：1998-10-28
• ANTIREFLECTION FILM FOR SEMICONDUCTOR CONTAINING CONDENSATION TYPE POLYMER AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP1757986B1

  公开（公告）日：2014-05-14