molecular orbital (HOMO) energy level (–6.08 eV) of POXD is employed as charge trap for the electrical switching memory devices. P3HT‐b‐POXD exhibits a non‐volatile bistable memory or insulator behavior depending on the P3HT/POXD block ratio and the resulting morphology. The ITO/P3HT44‐b‐POXD18/Al memory device shows a non‐volatile switching characteristic with negative differential resistance (NDR)
立体规则性聚(
3-己基噻吩)(新型给体-受体刚柔二嵌段共聚物P3HT) -嵌段-聚(2-苯基-5-(4-
乙烯基苯基)-1,3,4- oxadiaz-OLE)(POXD)通过改进的格氏复分解反应(GRIM)和原子转移自由基聚合(ATRP)的结合成功合成了两种化合物。探索了P3HT供体和POXD侧链受体嵌段的嵌段比率对形态,场效应晶体管迁移率和存储器件特性的影响。
TEM,
SAXS,WAXS和A
FM结果表明,线圈嵌段分数显着影响P3HT的链堆积阻止并降低其结晶度。光学吸收光谱表明,主链P3HT供体与侧链POXD受体之间的分子内电荷转移相对较弱,并且通过引入POXD受体降低了P3HT链的有序
水平。系统的场效应晶体管(FET)空穴迁移率在光学特性上表现出相似的趋势,并且随着有序P3HT结晶度的降低而降低。低洼最高占据分子轨道(HOMO)能级(-6.08电子伏特)的POXD被用作用于电气开关的存储器装置的电荷陷阱。P3HT‐