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1,5-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)naphthalene | 688311-88-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,5-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)naphthalene
英文别名
4,4,5,5-Tetramethyl-2-[5-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)naphthalen-1-yl]-1,3,2-dioxaborolane
1,5-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)naphthalene化学式
CAS
688311-88-8
化学式
C22H30B2O4
mdl
——
分子量
380.1
InChiKey
WSLASHNMNXHPBQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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物化性质

  • 沸点:
    503.3±23.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.08±0.1 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.44
  • 重原子数:
    28
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.55
  • 拓扑面积:
    36.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

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文献信息

  • Photocatalyzed borylation using water<b>-</b>soluble quantum dots
    作者:Hediyala B. Chandrashekar、Arun Maji、Ganga Halder、Sucheta Banerjee、Sayan Bhattacharyya、Debabrata Maiti
    DOI:10.1039/c9cc01737b
    日期:——
    The synthesis of arylboronates by Sandmeyer-type reactions in the presence of water still remains a significant challenge. Herein, we report the use of water-soluble MPA-capped quantum dot (QD) photocatalysts for the borylation of diazonium salts in the presence of water. A biphasic system under mild acidic conditions remains critical to prevent decomposition and competitive disulphide bond formation
    在水的存在下通过Sandmeyer型反应合成芳基硼酸酯仍然是一个重大挑战。在这里,我们报告了在水的存在下使用水溶性MPA封顶的量子点(QD)光催化剂进行重氮盐的硼化。在弱酸性条件下的双相体系对于防止分解和竞争性二硫键的形成仍然至关重要。本协议提供了更大范围的底物和硼化剂。另外,该催化系统提供了很高的周转率(TON)。本方法可以有效地区分硼酸和硼酸盐之间的细微反应活性差异。机理研究表明激发态电子转移途径。
  • [EN] ELECTROACTIVE COMPOUNDS<br/>[FR] COMPOSÉS ÉLECTROACTIFS
    申请人:DU PONT
    公开号:WO2018097937A1
    公开(公告)日:2018-05-31
    There is provided a compound having Formula (I), Formula (II), or Formula (III). The variables are described in detail herein.
    提供一种具有化学式(I)、化学式(II)或化学式(III)的化合物。变量在此处有详细描述。
  • Bottom-Up Synthesis of Nitrogen-Doped Polycyclic Aromatic Hydrocarbons
    作者:Junzhi Liu、Xinliang Feng
    DOI:10.1055/s-0039-1690767
    日期:2020.2
    coronene (diaza-HBC). Additionally, we present the synthesis of a class of helical N-charged PAHs, including one charged aza[5]helicene and two charged aza[4]helicenes. Moreover, the bottom-up organic synthesis strategy is further extended to the construction of novel nitrogen-boron-nitrogen (NBN)-containing PAHs. Finally, we discuss the synthesis of four-coordinate boron chromophores containing 6
    自下而上的有机合成是提供原子级精确的杂原子掺杂多环芳烃 (PAH) 的有效方法,不仅具有明确的尺寸和边缘结构,而且还具有特定的杂原子浓度和位置。我们提供了通过不同亲偶极体之间的 1,3-偶极环加成以及吡嗪型 N 掺杂二氮杂六环六苯并芴烯 (diaza-HBC) 制备氮掺杂多环芳烃 (N-PAHs) 的全体会议. 此外,我们展示了一类带 N 电荷的螺旋多环芳烃的合成,包括一个带电的氮杂[5]螺旋烯和两个带电的氮杂[4]螺旋烯。此外,自下而上的有机合成策略进一步扩展到新型含氮硼氮(NBN)多环芳烃的构建。最后,我们讨论了含有 6,12,18-三(烷基胺)-5,11,17-三氮杂三亚萘衍生物配体的四配位硼发色团的合成。1 引言 2 基于二苯并 9a-氮杂菲那烯 (DBAP) 的掺氮 PAH 3 阳离子掺氮螺旋 PAH 4 掺氮硼氮多环芳烃 5 结论与展望
  • 유기 반도체 재료
    申请人:SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤(519980961735)
    公开号:KR20150013550A
    公开(公告)日:2015-02-05
    본 발명은 식 (1)로 표시되는 화합물, 해당 화합물을 함유하는 고분자 화합물, 해당 화합물 또는 해당 고분자 화합물을 함유하는 유기 반도체 재료, 해당 유기 반도체 재료를 함유하는 유기층을 함유하는 유기 반도체 소자, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극 및 활성층을 갖고, 해당 활성층에 해당 유기 반도체 재료를 함유하는 유기 트랜지스터를 제공한다.
    本发明涉及一种化合物,该化合物如式(1)所示,包含该化合物的高分子化合物,含有该化合物或含有该高分子化合物的有机半导体材料,含有该有机半导体材料的有机层,包括源极、漏极、栅极和活性层,并提供了一种含有该有机半导体材料的有机晶体管。
  • Isomeric Pyrenodithiophenediones and Their Derivatives: Synthesis, Reactivity, and Device Performance
    作者:Chenxi Zhou、Wen Gu、Guowei Zhang、Lele Liu、Aifeng Lv、Lei Zhang
    DOI:10.1021/acs.joc.9b00579
    日期:2019.5.3
    Two isomeric pyrenodithiophenediones and their triisopropylsilyl(TIPS)-ethynyl-functionalized derivatives were synthesized and characterized. With treatment of excess lithium TIPS-acetylide, the isomeric diones could undergo Michael and carbonyl additions to form three derivatives with four, three, and two TIPS-ethynyl groups, respectively. The isomeric TIPS-ethynyl-functionalized derivatives show
    合成和表征了两个异构的吡二二噻吩及其三异丙基甲硅烷基(TIPS)-乙炔基官能化的衍生物。通过处理过量的TIPS-乙炔锂,异构体二酮可以进行迈克尔和羰基加成,以分别形成具有四个,三个和两个TIPS-乙炔基的三个衍生物。异构体TIPS-乙炔基官能化衍生物具有不同的理化性质。基于TIPS-乙炔基官能化衍生物的单晶晶体管表现出有希望的p型传输行为,空穴迁移率高达0.51 cm 2 V –1 s –1。
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