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3,7-dibromo-10-(4-(tert-butyl)phenyl)-10H-phenothiazine | 883983-90-2

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
3,7-dibromo-10-(4-(tert-butyl)phenyl)-10H-phenothiazine
英文别名
3,7-Dibromo-10-(4-tert-butyl-phenyl)-10H-Phenothiazin;3,7-dibromo-10-(4-t-butyl-phenyl)-10H-phenothiazine;3,7-Dibromo-10-(4-tert-butylphenyl)phenothiazine
3,7-dibromo-10-(4-(tert-butyl)phenyl)-10H-phenothiazine化学式
CAS
883983-90-2
化学式
C22H19Br2NS
mdl
——
分子量
489.274
InChiKey
ZNCKXLOIRWVADW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    547.0±50.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.529±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.4
  • 重原子数:
    26
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.18
  • 拓扑面积:
    28.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    含N-芳基吩噻嗪-S,S-二氧化物单元的芴基低聚物和聚合物的合成与表征
    摘要:
    一系列3,7-双(9,9-二-n-己基芴-2-基)-N-芳基吩噻嗪-S,S-二氧化物三聚体和(9,9-二-n-辛基芴-2,7-二基-共- ñ -arylphenothiazine- S,S二氧化物)共聚物,与吩噻嗪的不同比率S,S二氧化物单元,已在良好的产率通过钯催化的交叉偶联反应来制备。这些材料是深蓝色发射体,没有溶剂溶变色现象或分子内电荷转移状态的证据。三聚体的光致发光量子产率在溶液中为ϕ PL的15–30%,在薄膜中为14–25%。聚合物在溶液中显示出很高的值(ϕ PL 74–84%),并且ϕ胶卷中的PL值为28–47%。对于结合了吩噻嗪-S,S-二氧化物单元的15%的聚合物,估计的HOMO能级在-5.64至-5.62 eV之间。类似的N-芳基吩噻嗪共聚物显示出明显的红移吸收和发射。还介绍了溶液电化学数据和密度泛函理论计算。©2010 Wiley Periodicals,Inc. J
    DOI:
    10.1002/pola.24527
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    含N-芳基吩噻嗪-S,S-二氧化物单元的芴基低聚物和聚合物的合成与表征
    摘要:
    一系列3,7-双(9,9-二-n-己基芴-2-基)-N-芳基吩噻嗪-S,S-二氧化物三聚体和(9,9-二-n-辛基芴-2,7-二基-共- ñ -arylphenothiazine- S,S二氧化物)共聚物,与吩噻嗪的不同比率S,S二氧化物单元,已在良好的产率通过钯催化的交叉偶联反应来制备。这些材料是深蓝色发射体,没有溶剂溶变色现象或分子内电荷转移状态的证据。三聚体的光致发光量子产率在溶液中为ϕ PL的15–30%,在薄膜中为14–25%。聚合物在溶液中显示出很高的值(ϕ PL 74–84%),并且ϕ胶卷中的PL值为28–47%。对于结合了吩噻嗪-S,S-二氧化物单元的15%的聚合物,估计的HOMO能级在-5.64至-5.62 eV之间。类似的N-芳基吩噻嗪共聚物显示出明显的红移吸收和发射。还介绍了溶液电化学数据和密度泛函理论计算。©2010 Wiley Periodicals,Inc. J
    DOI:
    10.1002/pola.24527
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文献信息

  • NEUE EMITTERMATERIALIEN UND MATRIXMATERIALIEN FÜR OPTOELEKTRONISCHE UND ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE, INSBESONDERE ORGANISCHE LICHTEMITTIERENDE DIODEN (OLEDS)
    申请人:Technische Universität Dresden
    公开号:EP3398218A1
    公开(公告)日:2018-11-07
  • NEW EMITTER MATERIALS AND MATRIX MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC COMPONENTS, IN PARTICULAR ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODES (OLEDS)
    申请人:Technische Universität Dresden
    公开号:US20210167304A1
    公开(公告)日:2021-06-03
    The invention relates to compounds, comprising at least one donor group and at least one acceptor group, in which the transition energy of the lowest excited triplet hack into the ground state both of the corresponding donor molecule and of the corresponding acceptor molecule being at least 2.2 eV, and the use thereof as an emitter or a carrier material in an optoelectronic component.
  • [DE] NEUE EMITTERMATERIALIEN UND MATRIXMATERIALIEN FÜR OPTOELEKTRONISCHE UND ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE, INSBESONDERE ORGANISCHE LICHTEMITTIERENDE DIODEN (OLEDS)<br/>[EN] NEW EMITTER MATERIALS AND MATRIX MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC COMPONENTS, IN PARTICULAR ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODES (OLEDS)<br/>[FR] NOUVEAUX MATÉRIAUX ÉMETTEUR ET MATÉRIAUX MATRICIELS POUR COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ET OPTOÉLECTRONIQUES, EN PARTICULIER DES DIODES ÉLECTROLUMINISCENTES ORGANIQUES (OLED)
    申请人:UNIV DRESDEN TECH
    公开号:WO2017114857A1
    公开(公告)日:2017-07-06
    Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verbindungen, umfassend mindestens eine Donor- und mindestens eine Akzeptor-Gruppe, in der die Übergangsenergie des niedrigsten angeregten Tripletts zurück in den Grundzustand sowohl des entsprechenden Donor- als auch des entsprechenden Akzeptor-Moleküls mindestens 2,2 eV beträgt, sowie deren Verwendung als Emitter oder Trägermaterial in einem optoelektronischen Bauelement.
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