benzo[a]indeno[2,1-c]fluorene-5,10-dione | 32141-44-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: benzo[a]indeno[2,1-c]fluorene-5,10-dione
• 英文别名: Hexacyclo[15.7.0.02,10.03,8.011,16.019,24]tetracosa-1(17),2(10),3,5,7,11,13,15,19,21,23-undecaene-9,18-dione
• CAS: 32141-44-9
• 化学式: C₂₄H₁₂O₂
• 分子量: 332.358
• InChiKey: YALPTQLSQHNAHR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.4
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  benzo[a]indeno[2,1-c]fluorene-5,10-dione 在 正丁基锂 、 三氟乙酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲苯 为溶剂， 反应 2.33h， 生成 5,10-bis(3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl)benz[a]indeno[2,1-c]fluorene
  参考文献：
  名称：

  苯并茚并[2,1-c]芴的合成与性质

  摘要：

  合成了一组完全共轭的茚并芴，并通过固态结构分析进行了确认。茚并[ 2,1– c ]芴及其苯并稠合类似物均含有抗芳烃作为茚满并烯的核心。这些分子具有很高的电子亲和力，并显示出广泛的吸收能力，可吸收到电磁光谱的近红外区域。如循环伏安法所揭示的，所有具有特征的化合物最多可逆地接受两个电子。使用NICS-XY扫描计算对分子的亲和性进行分析表明，尽管as-茚并二烯核的顺性性低于s-茚并二烯，但苯并[a]环化进一步降低了核的抗芳香性。的反芳香强度为还可以通过外圈上其他芳烃的融合位置来调节ind-茚并茂的核心。

  DOI：

  10.1002/asia.201801684
• 作为产物：
  描述：

  tribenzohexahydro[12]annulene 在 Lindlar's catalyst sodium dichromate 、 氢气 作用下， 以 溶剂黄146 为溶剂， 生成 benzo[a]indeno[2,1-c]fluorene-5,10-dione
  参考文献：
  名称：

  Staab,H.A. et al., Chemische Berichte, 1971, vol. 104, p. 1159 - 1169

  摘要：

  DOI：

文献信息

• 화합물, 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD. 삼성에스디아이 주식회사(119980018058) Corp. No ▼ 110111-0394174BRN ▼124-81-31282

  公开号：KR20200122654A

  公开（公告）日：2020-10-28

  하기 화학식 1로 표현되는 화합물, 상기 화합물을 포함하는 하드마스크 조성물, 상기 하드마스크 조성물의 경화물을 포함하는 하드마스크 층 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에서, A 내지 E의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

  这段文字的中文翻译如下： 这是关于以化学式1表示的化合物，包括所述化合物的硬掩膜组合物，包括所述硬掩膜组合物的固化物的硬掩膜层以及使用所述硬掩膜组合物的图案形成方法。[化学式1] 在上述化学式1中，A至E的定义如规范中所述。
• Cascade Radical Cyclizations of Benzannulated Enyne−Allenes. Unusual Cleavage of a Benzene Ring Leading to Twisted 1,1‘-Dialkyl-9,9‘-bifluorenylidenes and Spiro[1<i>H</i>-cyclobut[<i>a</i>]indene-1,9‘-[9<i>H</i>]fluorenes]
  作者：Yonghong Yang、Jeffrey L. Petersen、Kung K. Wang

  DOI：10.1021/jo030147j

  日期：2003.7.1

  9'-[9H]fluorene] 20 apparently was produced via two intramolecular [2 + 2] cycloaddition reactions of the benzannulated enyne-allene moieties, generated in situ from the benzannulated enediynyl propargylic alcohols. The twisted 1,1'-dimethyl-9,9'-bifluorenylidene 33 and the spiro[1H-cyclobut[a]indene-1,9'-[9H]fluorene] 39 (trans/cis = 3:1) were likewise produced from 32 and 38, respectively.

  用亚硫酰氯处理苯并环化的二炔基炔丙醇16（异构体比例= 2：1），引发一系列反应，导致扭曲的1,1'-二丙基-9,9'-联芴基17，多环化合物18和19，和螺[1H-环丁[a]茚-1,9'-[9H]芴] 20（反式/顺式= 5：1）。从16到出乎意料的17的转变大概涉及苯甲环烯-烯丙烯21的初始形成，然后进行C（2）-C（6）环化反应和分子内自由基-自由基偶联反应，从而形成正式的Diels- Alder加合物23。重复该序列，然后提供24。连接具有丙基取代基的两个碳的键的断裂得到25。随后，连接两个中心五元环的碳-碳键的旋转随后得到反式异构体26 。26可能被氧气氧化，然后水解，然后生成17。有趣的是，导致17的途径涉及苯环的不寻常裂解。17的X射线晶体结构表明，其对于连接两个联芴基片段的碳-碳双键具有45.2度的扭转角。螺[1H-环丁[a]茚-1,9'-[9H]芴] 20显然是由苯并环烯炔-丙二烯部分的两个分子内[2
• Composition for forming organic film, patterning process, and resin for forming organic film
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10615045B2

  公开（公告）日：2020-04-07

  The invention provides: a resin as a material of a composition for forming an organic film having high filling and planarizing properties and etching resistance; the composition; and a patterning process using the composition. Provided is a composition for forming an organic film, including: (I) a resin having a structure shown by a general formula (1) in which a ring structure AR containing an aromatic ring and a spiro structure SP bonded to four of the ARs are alternately repeated in at least a portion of a repeating unit; and (II) an organic solvent.

  本发明提供了：作为用于形成有机薄膜的组合物的材料的树脂，该组合物具有高填充性和平面化性能以及耐蚀刻性；该组合物；以及使用该组合物的图案化工艺。本发明提供了一种用于形成有机薄膜的组合物，包括 (I) 具有通式 (1) 所示结构的树脂，其中包含芳香环的环状结构 AR 和与四个 AR 键合的螺状结构 SP 在重复单元的至少一部分中交替重复；以及 (II) 有机溶剂。
• COMPOSITION FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND RESIN FOR FORMING ORGANIC FILM
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20190027369A1

  公开（公告）日：2019-01-24

  The invention provides: a resin as a material of a composition for forming an organic film having high filling and planarizing properties and etching resistance; the composition; and a patterning process using the composition. Provided is a composition for forming an organic film, including: (I) a resin having a structure shown by a general formula (1) in which a ring structure AR containing an aromatic ring and a spiro structure SP bonded to four of the ARs are alternately repeated in at least a portion of a repeating unit; and (II) an organic solvent.