5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene
• 英文别名: Triethyl-[2-[2-(2-triethylsilylethynyl)-6,18-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3(11),4,7,9,12,14,16,19-nonaen-12-yl]ethynyl]silane
• 化学式: C₃₄H₃₈S₂Si₂
• 分子量: 566.979
• InChiKey: VFZGRQFPNOLJIP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.22
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.35
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 anthra[2,3-b:7,6-b’]dithiophene-5,11-dione 、 蒽噻吩-5,11-二酮,正反异构体的混合物 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 hexanes 、 水 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthra[2,3-b:7,6-b']dithiophene 、 5,11-双（三乙基甲硅烷基乙炔基）蒽噻吩，正反异构体的混合物
  参考文献：
  名称：

  Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith

  摘要：

  揭示了新型硅基炔基杂环芳烃和由这些化合物制成的电子器件。

  公开号：

  US07385221B1

文献信息

• Organic Field-Effect Transistors from Solution-Deposited Functionalized Acenes with Mobilities as High as 1 cm²/V·s
  作者：Marcia M. Payne、Sean R. Parkin、John E. Anthony、Chung-Chen Kuo、Thomas N. Jackson

  DOI：10.1021/ja042353u

  日期：2005.4.1

  device parameters for organic field-effect transistors fabricated from solution-deposited films of functionalized pentacene and anthradithiophenes. These materials are easily prepared in one or two steps from commercially available starting materials and are purified by simple recrystallization. For a solution-deposited film of functionalized pentacene, hole mobility of 0.17 cm2/V.s was measured. The functionalized

  我们介绍了由功能化并五苯和蒽二噻吩的溶液沉积薄膜制成的有机场效应晶体管的器件参数。这些材料很容易由市售原料通过一两步制备，并通过简单的重结晶进行纯化。对于功能化并五苯的溶液沉积膜，测得的空穴迁移率为 0.17 cm2/Vs。功能化的蒽二噻吩表现出强烈依赖于取代基的行为，空穴迁移率高达 1.0 cm2/Vs
• WO2008/107089
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
  申请人：University of Kentucky Research Foundation

  公开号：US07385221B1

  公开（公告）日：2008-06-10

  Novel silylethynylated heteroacenes and electronic devices made with those compounds are disclosed.

  揭示了新型硅基炔基杂环芳烃和由这些化合物制成的电子器件。