2-(2-癸基十四烷基)噻吩 | 1356036-66-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 杂芳族化合物
• 中文名称: 2-(2-癸基十四烷基)噻吩
• 英文名称: 2-(2-decyltetradecyl)thiophene
• 英文别名: Thiophene,2-(2-decyltetradecyl)-
• CAS: 1356036-66-2
• 化学式: C₂₈H₅₂S
• 分子量: 420.787
• InChiKey: QAIMLVJRBGPSMQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  496.7±14.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.885±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  14.1
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.86
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(2-癸基十四烷基)噻吩 在 2,2,6,6-四甲基哌啶 、 tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) chloroform complex 、 正丁基锂 、 三(邻甲基苯基)磷 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 14.0h， 生成 tributyl(5-(2-decyltetradecyl)-[2,3'-bithiophen]-5'-yl)stannane
  参考文献：
  名称：

  以烷基噻吩为侧链的基于二氟苯并噻二唑的共轭聚合物，用于高效，无添加剂和厚膜聚合物太阳能电池

  摘要：

  两个带有烷基噻吩作为侧链的供体-受体（DA）共轭聚合物，即聚[（5,6-二氟-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基）-alt-（3,3' ′′-二（2-（2-（2-癸基十四烷基）噻吩-5-基）-2,2′; 5′，2′′; 5′′，2′′′-季噻吩-5,5′′′-二基）]（P-2T）和聚[（5,6-二氟-2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基）-alt-（2,5-双（3-（2-癸基十四烷基）噻吩-设计并合成了5-基）噻吩-2-基）噻吩并[3,2- b ]噻吩[ P-TT ] 。两种聚合物在溶液中均表现出对温度敏感的聚集。用[6,6]-苯基-C 71-丁酸甲酯（PC 71）制造基于它们的聚合物太阳能电池（PSC）BM）作为受体材料。基于P-TT的设备可提供高达9.96％的功率转换效率（PCE），而无需使用任何添加剂。此外，P-TT的光伏性能对聚合物：PC 71的BM比和活性层厚度不敏感，并且供体

  DOI：

  10.1039/c7ta06332f
• 作为产物：
  描述：

  噻吩 、 2-癸基-1-十四烷基溴 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 16.5h， 以54%的产率得到2-(2-癸基十四烷基)噻吩
  参考文献：
  名称：

  Synthesis of a Conjugated Polymer with Broad Absorption and Its Application in High-Performance Phototransistors

  摘要：

  An amorphous copolymer (PBDT-BBT) of 4,8-bis(2-thienyl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene and 5,5'-bibenzo[c][1,2,5]thiadiazole was synthesized by Stile coupling polymerization. PBDT-BBT exhibited good solution processability, excellent thermal stability with decomposition temperature of 437 degrees C, broad absorption (300-800 nm), deep HOMO level (-5.7 eV), and LUMO level (-3.7 eV). The microstructure order of PBDT-BBT thin films is not susceptible to thermal annealing temperature (80-200 degrees C). Field-effect transistors based on this polymer exhibited a charge-carrier mobility of 6 x 10(-3) cm(2) V-1 s(-1), threshold voltage of -1 V, and on/off current ratio of 106 without any post-treatments. Thin film phototransistors of PBDT-BBT exhibited a photoresponsivity of 3200 mA W-1 and photocurrent/dark current ratio of 4 x 10(5).

  DOI：

  10.1021/ma202582n